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本报告介绍了雷达前端射频装置的基本组成、特性、工作原理和性能,提出了微波效应实验方法,通过注入法和辐照法的研究,摸索雷达前端射频装置的效应规律和效应阈值。对雷达前端射频装置进行了微波效应实验研究,即采用注入法,将低功率的微波直接注入雷达前端电路和它的单元器件,或采用辐照法近距离辐照雷达前端,模拟微波对它的作用,而摸索雷达前端射频装置的微波效应规律。微波脉冲对射频装置造成损伤,应是在微波脉冲作用下,使射频装置不能完成其正常功能。射频装置的功能受损,体现为系统增益下降。 相似文献
112.
本篇系特约稿,由著名超导专家赵忠贤教授审阅,特表谢意.作者熊诗杰,46岁,南京大学物理系研究员.1968年毕业于北京大学,1983年获得南京大学博士学位,1988-1990年先后在英国剑桥大学超导研究中心、美国休斯敦大学德克萨斯超导中心进行访问研究.1991年被国务院学位委员会及国家教委授于“有突出贡献的中国博士”荣誉称号,还被美、英等国名人中心收入三个国际名人录.已在国内外有影响学术刊物发表论文70余篇. 相似文献
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分别掺有磷和硼的二氧化硅经γ辐照后产生多种顺磁性中心,ESR研究指出氧空穴O-主要稳定在杂质离子附近.O2-自由基稳定在Si离子上.F心的研究认为氧缺位俘获电子存在一个动态平衡过程. 相似文献
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119.
用深能级瞬态谱(DLTS)技术测量了高温退火的Be和Si共注入的LEC半绝缘GaAs(无掺杂)。在多子脉冲作用下的Al/Be-Si共注LECSIGaAs肖特基势垒中,观测到E01(0.298),E02(0.341),E03(0.555)和E04(0.821)等四个电子陷阱以及两个主要的少子(空穴)陷阱H'03(0.54)和H″03(0.57)。两少子陷阱的DLTS信号具有若干特点,比如它们的DLTS·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度;以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用DLTS技术测量这种陷阱的困难,我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为0.54和0.57eV。它们是新观测到的和Be-Si共注SIGaAs有关缺陷。
关键词: 相似文献
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