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111.
醇体系中合成CuGaS2纳米晶及其形貌演变   总被引:1,自引:0,他引:1  
以CuCl2·2H2O,自制的GaCl3和(NH2)2CS为原料,在乙二醇体系中合成了花状结构的CuGaS2纳米晶.产物分别用X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、高分辩透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行了表征.实验结果表明,220℃反应24 h得到均匀的花状纳米结构CuGaS2,它是由厚度80-100 nm的片晶组成.同时,通过反应时间的控制,可以清楚的看到由纳米颗粒到纳米球以及花状纳米结构的演变过程.另外,研究了反应温度、反应时间、溶剂等对产物和形貌的影响.此外,对花状结构纳米晶的生长机理进行了初步的探讨.室温荧光光谱表明,随粒径的降低,发光位发生了部分蓝移.  相似文献   
112.
冯夏  康俊勇 《发光学报》2006,27(6):995-999
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。  相似文献   
113.
~~光功能纳米陶瓷材料研究取得重要成果@汪道友~~  相似文献   
114.
115.
《分析化学》2006,34(3):297-297
会议由清华大学、生物芯片北京国家工程研究中心、科技部、教育部、国家自然基金委等单位共同主办,由生物芯片北京国家工程研究中心具体筹办。  相似文献   
116.
α-Fe_2O_3纳米微粒/硬脂酸交替L-B膜的结构表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
纳米微粒(NP)是一个新的物质层次,它具有一系列新异的物理、化学特性,涉及到大块样品中所忽略的,或根本不具有的基本物理、化学问题.用NP 制造新型的人工功能材料具有广泛的潜在应用.一个有意义的挑战是能否对NP 进行有序的组装.Zhao andFendler 等曾利用Fe_3O_4NP 进行有序组装的尝试.我们也在前期的初步研究中利用Langmuir-Blodgett(LB)技术对7nm 的α-Fe_2O_3 NP 进行了有序组装的探索,获得了α-Fe_2O_3 NP-硬脂酸交替LB 多层膜(FNSLF).然而这种交替膜的有序情况还不十分清楚.  相似文献   
117.
本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。  相似文献   
118.
报道了分别用溶胶-凝胶法合成的Y2SiO5∶Eu纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Y2SiO5∶Eu材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究.结果表明:纳米Y2-xEuxSiO5比常规尺度的Y2-xEuxSiO5有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度.理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的.这个结果为高亮度的Y2SiO5∶Eu纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景.  相似文献   
119.
纳米二氧化锆制备过程的DSC、TGA和XRD研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用DSC、TGA和XRD技术研究了在沉淀法制备纳米ZrO2的过程中,残留NH4Cl、pH值、滴加方式、以及结构稳定剂Y2O3的添加量对结晶过程的影响。结果表明,残留NH4Cl使结晶化温度降低,使放热过程变为吸热过程。而pH值、滴加方式和结构稳定剂的添加对结晶过程无明显影响。  相似文献   
120.
采用喷雾干燥-高温固相法制备纳米LiFePO4与LiFePO4/C正极材料,用X-射线衍射,扫描电镜等对合成材料进行了表征,并对以LiFePO4为正极的电池进行了电化学性能测试。结果表明:材料合成最佳煅烧温度为600 ℃;合成过程中由于碳对LiFePO4晶型的生长有一定的抑制作用,相对于纯LiFePO4材料,LiFePO4/C材料粒径更小;并且,在此最佳合成温度下合成的LiF  相似文献   
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