Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films

Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition＇parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of （002） crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of （100） crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening.     

基于二次插值的非饱和土壤水流问题的特征差分方法及数值模拟

本文针对一类非饱和土壤水流问题,提出了基于二次插值的特征差分格式,得到了严谨的L2模误差估计.并作了数值试验,指明方法的有效性.     

关于江西省宜春市第三小学始创“三算结合”教学法的调查报告

“三算结合”教学法，即口算、笔算、珠算三结合教学法，自上世纪五、六十年代创始以来，就以其独特的魅力，在小学数学教育上发挥了巨大作用，也为珠算教育增添了光辉，更为后来珠心算的诞生奠定了一定基础。据有关资料记载，“三算结合”教学法始创于江西省宜春市第三小学的教改实验。为了解其初创始末，去年11月上旬，我们在会长王世福同志的带领下，     

荧光X射线分析装置

本发明的课题在于提供一种进行氮置换的荧光X射线分析装置，容易更换试样室和照射室之间的隔壁膜，在分析时，试样室的空气不流入照射室。第1支架（21）按照其窗（21a）与试样室（3）和照射室（8）之间的壁部（4）的窗（如）重合的方式气密地安装于壁部（4）上，按照覆盖第1支架的窗（21a）的方式设置隔壁膜（9）。第2支架（23）按照其窗（23a）夹持隔壁膜（9），与第1支架的窗（21a）重合的方式设置。     

CdS改性TiO2光催化剂的制备及结构

在半导体光催化剂中，TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点，但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低，而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时，改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行，不符合节能原则。     

线阵CCD在双棱镜测光波波长中的应用

CCD是一种以电荷量表示光量的大小,用耦合方式传输电荷量的新型光电传感器件,其基本部分由MOS光敏元列阵和读出移位寄存器组成.具有体积小、重量轻、功耗低、光谱响应范围宽、分辨率高、精度高、稳定性能良好等一系列优点,与计算机配合使用,使得由CCD采集到的大量数据的处理变得非常容易.对测量数据的处理可以经过存储、自动补偿和校正,最后打印输出,现今已在航天、遥感、军事设备、自动控制、雷达、医学、生物、化学、颜色测量等方面得到了广泛的应用[1].我们将其用在实验教学中,取得了很好的效果.     

Electronic Properties of Red P-Type Tl2S5 Single Crystals

Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found.