分子内氢键对芳氢化学位移值影响的研究

通过对19个酚类化合物¹H NMR谱的研究和分析发现,酚羟基形成分子内氢键后,使对位芳氢化学位移值向高场变化的幅度大于邻位,其差值约为0.1ppm-0.3ppm.     

ICP—AES法测定混合稀土铜合金中14种元素

本文研究了用ICP-AES法,不必化学分离,一次同时测定混合稀土铜合金名14种稀土和非稀土元素,获得满意结果。     

Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La):Eu3+(或Dy3+,Bi3+)的合成及发光性能的研究

本文报导了Eu3+,Dy3+在Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La)基质中的光谱性质、Bi3+对Dy3+发射强度的影响及温度对Dy3+发射强度的猝灭情况.研究了被取代离子R3+(R=Y,Gd,La)对基质电行迁移带、Eu3+的红橙比、Dy3+黄蓝比的影响,还给出了Dy3+的浓度猝灭值.     

电感耦合等离子体发射光谱法测定铝合金中La、Ce、Pr、Nd、Sm

利用ICP—AES仪测定稀土铝合金中微量的La、Ce、Pr、Nd、Sm。试样用酸分解,直接上机测定,对光谱干扰情况和仪器参数的选择进行了研究。实验结果和推荐值核对相符。     

非线性介质中强光对弱光聚焦的控制研究

从理论和实验上分析了强光控制弱光脉冲聚焦的方法, 该方法可以灵活地控制弱光的聚焦过程和特性. 通过研究两光束共同传输, 利用强抽运光在相互作用时为弱探测光提供诱导非线性效应, 从而使弱探测光发生聚焦. 得到了在抽运光保持不变情况下探测光的解析解, 并在实验上得到验证. 进一步研究了强抽运光对弱探测光焦点位置的影响. 结果显示: 通过改变抽运光功率、束宽能够有效地控制弱探测光的聚焦过程和焦点位置. 关键词： 诱导聚焦 自聚焦 非线性折射率     

3种黄酮醇类化合物核磁共振碳谱的理论研究

在B3LYP/6-31G水平下优化了3种黄酮醇类（山奈酚,槲皮素,杨梅素）化合物的几何构型. 在振动分析中,均未出现虚频率. 在B3LYP/6-31G的水平下计算了该类化合物的核磁共振碳谱. 研究结果表明：3种分子均有分子内氢键形成,且分子内氢键的键长为0.17~0.18 nm左右 . 本文讨论了羟基引入之后对邻近C的化学位移的影响. 从取代基对NMR的影响来看,随着取代基对苯环的供电子能力的加强,取代基邻近的一些C的化学位移有所改变.      

共掺杂效应对Y2O3:Eu3+和Gd2O3:Eu3+发光影响的理论研究

通过在Y2O3:Eu3 和Gd2O3:Eu3 发光材料中掺入Li ,Mg2 ,Al3 等离子能有效地提高材料的发光强度,根据分子动力学和密度泛函计算的结果,认为这些离子多倾向于形成C2格位附近的间隙缺陷对,导致部分Y(Gd)-O的键长增加,提高了材料的量子效率的同时使得激发峰位出现红移,是引起材料发光增强的一个原因.     

双频氦氖激光回馈位移测量系统的实验与应用研究

研究了一种全新的纳米尺度位移测量系统。将双折射元件插入He-Ne激光器谐振腔内产生频率分裂效应，使原本单模谐振的激光器输出变成了频差可调的2个正交偏振频率（o光和e光），而形成双频激光器。在激光谐振腔外放置沿激光轴线位移的反射表面，将输出的激光束反射回腔内，以便对激光的光强进行调制，可实现高分辨率非接触式可判向位移测量。提出了一种细分方法，该方法突破了传统干涉系统的衍射极限（1/2波长）。对于633nm波长He-Ne激光，本系统的理想分辨率为1/8波长（约为79nm）。     

Vertical and Smooth, etching of InP by Cl2／CH4／Ar Inductively Coupled Plasma at Room Temperature

We study the room-temperature dry, etching of InP by inductively coupled plasma (ICP) using C12/CH4/Ar mixtures. Etches were characterized in terms of anisotropy and surface roughness by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, respectively. It is found that the flow ratio between C12 and Ctt4, ICP power, rf chuck power, and table temperature can greatly influence the, etching results. By adjusting, etching parameters,vertical sidewall and smooth surface can be obtained simultaneously, together with a moderate, etch rate and a good select ratio. The root-mean-square surface roughness is measured to be as low as 0.27nm. To the best of our knowledge, this is the best result for InP to date. The, etch rate is 855nm/min, and the selectivity ratio overSi02 is estimated to be higher than 15:1. The stoichiometry of the, etched surface has also been investigated by Auger electron spectroscopy. The, etched surface is found to manifest a slight P deficiency, and the ratio between P and In reaches the stoichiometric value within about 0.75nm depth into the surface.