介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响

以介质填充的平行板放电结构为例,本文主要研究了介质填充后微波低气压放电和微放电的物理过程.为了探究介质材料特性对微波低气压放电和微放电阈值的影响,本文采用自主研发的二次电子发射特性测量装置,测量了7种常见介质材料的二次电子发射系数和二次电子能谱.依据二次电子发射过程中介质表面正带电的稳定条件,计算了介质材料稳态表面电位与二次电子发射系数以及能谱参数的关系.在放电结构中引入与表面电位相应的等效直流电场后,依据电子扩散模型和微放电中电子谐振条件,分别探讨了介质表面稳态表面电位的大小对微波低气压放电和微放电阈值的影响.结果表明,介质材料的二次电子发射系数以及能谱参数越大,介质材料的稳态表面电位也越大,对应的微波低气压放电和微放电阈值也越大.所得结论对于填充介质的选择有一定的理论指导价值.     

极低频高压脉冲电场对萌发玉米种子超弱发光的影响

生物超弱发光是来自细胞的电磁信号,在揭示电磁生物学效应的机理研究中具有重要作用.为了研究极低频脉冲电场生物学效应及其机理,采用基于玉米细胞电位波动频率的1 Hz极低频高压脉冲电场处理萌发玉米种子,结果发现玉米种子的萌发过程明显加快,根长和芽长均有显著增长.对萌发种子的自发发光和延迟发光的测量结果显示,1 Hz极低频高压脉冲电场对萌发过程中玉米种子的自发发光和延迟发光积分强度都有明显的促进作用,表明1 Hz极低频高压脉冲电场加速了玉米种子萌发过程中的DNA合成和细胞代谢.     

EIS型光寻址电位传感器及其对液体分析的研究

介绍了ＥＩＳ型光寻址电位传感器系统，并以实验为基础，研究了偏置电压，光调制频率，光功率等参数对ＥＩＳ型光寻址电位传感器光电压的影响，并提出了优化参数，为光寻址电位传感器在液体分析中的应用奠定了基础。同时发现光电压与待测液ｐＨ之间具有超能斯特响应关系的现象。     

两种平衡电路——从经典到现代

研究两种平衡电路,它可以统一解释电位计、电桥和运放电路等各种零电路.用于运放以后,平衡电路可以克服经典应用时的局限性,特别是它能使平衡电路自动地、瞬时地达到平衡,并且能处理从直流扩展到包括低频、高频的交流信号.     

对称电路等效电阻分析方法的探讨

两端电阻网络,其内部电阻仅是串、并联的结构,可以应用串、并联公式反复化简求出其等效电阻,若电阻网络中含有△或Y型结构,则需经过△与Y型电路的相互转换才能去掉△或Y型结构形成串、并联结构,然后再进行等效化简。若电路是对称结构的,由于对称电路中具有特定的等电位点,     

Resonance Energies,Absorption Oscillator Strengths and Ionization Potentials for the Element Hassium （Z = 108）

On the basis of successfully predicting low-lying energy levels for the element fermium （Z = 100）, we calculate the resonance energies, absorption oscillator strengths and the first ionization potential of the element hassium （Z = 108） by taking important relativistic and improved electron correlation effects into account using the multiconfiguration Dirac Fock method. These calculations are carried out with the aim of assisting experimental investigations of hassium.     

Interaction of Point Defects with Twin Boundaries in Copper

The interaction between small vacancy clusters and twin boundaries in copper is studied by using many-body potential developed by Ackland et aL for fcc metals. The interaction energies of single-, di- and tri-vacancy clusters with （111） and （112） twin boundaries are computed using well established simulation techniques. For （111） twins the vacancy clusters are highly repelled when they are on the adjacent planes, and are attracted when they are away from the boundary. In the case of （112） twins, vacancy clusters are more attracted to the boundary when they are near the boundary as compared to away from it. Vacancy clusters on both the sides of the boundary are also investigated, and it is observed that the clusters energetically prefer to lie on the off-mirror sites as compared to the mirror position across the twin.     

微型滴定法测定硫酸亚铁的含量

将微型滴定用于硫酸亚铁含量的测定 ,设计并使用与微型滴定管精度一致的移液管 ,比较了微型滴定与常量滴定的测定结果。方法可行 ,有使用价值。     

直流电晕充电下环氧树脂表面电位衰减特性的研究

介质材料表面电荷的积累和衰减行为是制约众多高压直流电力设备研制的关键因素. 薄片状介质试样的表面电荷密度与表面电位近似呈线性关系, 因此常通过表面电位衰减行为研究表面电荷的衰减特性. 基于电晕充电、表面电荷沉积和脱陷、介质体内单极性电荷输运等3个物理过程, 建立表面电位动态响应的物理模型. 通过计算环氧树脂的表面电位衰减行为, 得到栅极电压、相对介电常数和体电导率等对其表面电位衰减特性的影响. 栅极电压越高, 表面电位的衰减速度越快; 环氧树脂材料参数典型值(相对介电常数3.93, 体电导率10^-14 S· m^-1)下, 归一化表面电位的衰减速率随时间变化的曲线可拟合为分段幂函数, 其中, 分段幂函数的特征时间、指数系数与栅极电压分别呈幂函数和线性变化关系. 相对介电常数越大, 表面电位的衰减速度越慢; 环氧树脂相对介电常数典型范围(3–4)内, 表面电位衰减时间常数由1720 s增大到2540 s, 两者呈线性关系. 体电导率越大, 表面电位的衰减速度越快; 环氧树脂体电导率典型范围(10^-15–10^-13 S· m^-1)内, 表面电位衰减时间常数由24760 s 减小到260 s, 两者呈幂函数变化关系.