氮杂冠醚取代的单Schiff碱的合成及其钴(Ⅱ)配合物的氧加合性能

由苯并 10 氮杂 15 冠 5出发 ,经 2～ 4步反应合成了氮杂冠醚取代的单Schiff碱HL1,HL2及其异构体HL3 ,HL4.并以元素分析 ,IR ,1 HNMR和MS进行了表征 .在不同温度下 ,测定了它们的钴 (Ⅱ )配合物的氧合反应平衡常数及热力学参数ΔH°和ΔS° ,并与合成的非冠醚类似物CoL2 5 ,CoL2 6和CoL2 7比较 ,考察了配体芳环上取代的氮杂冠醚环及其取代位置对氧加合性能的影响     

高频燃烧红外吸收光谱法测定碳酸钴中的硫

采用高频燃烧红外吸收光谱法测定碳酸钴中的硫,在测定过程中先将样品进行灼烧处理,并选用纯铁和钨助熔剂熔样,解决了水分干扰和样品熔解不完全的问题。方法可以准确测定碳酸钴中质量分数为0.001%~0.01%的硫,加标回收率为98.4%~101.4%,相对标准偏差RSD为2.8%~6.3%。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定高碳铬铁中的硅、磷、锰

采用氢氟酸和高氯酸的混合酸为溶剂,微波消解法处理高碳铬铁样品,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测定溶液中的硅、磷和锰,利用仪器扣背景的功能消除高浓度基体的干扰。结果表明,样品不经基体匹配可以直接测定。方法的线性相关系数大于0.999 94,能够同时测定三种金属元素,具有快速、高效、清洁、污染少等优点,完全能满足分析的要求。     

配合物[NH3(CH2)4NH3]Co(hedpH2)(H2O)2的水热合成与表征(hedpH4=1-羟亚乙基二膦酸)

采用水热合成法以丁二胺作为模板剂合成了钴的有机二膦酸超分子化合物[NH3(CH2)4NH3]Co(hedpH2)2(H2O)2 [hedpH4 = 1-羟亚乙基二膦酸, CH3C(OH)(PO3H2)2]。用元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱、热重分析以及单晶结构解析对其进行了表征。该化合物的化学式为:C8H30N2CoO16P4,Mr = 593.15,晶体属单斜晶系,空间群C2/c,晶胞参数a = 16.128(2), b = 12.427(1), c = 12.610(2) ? b = 121.389(9), V = 2157.3(4) 3, Z = 4, Dc = 1.826 g/cm3, m(MoKa) = 1.172 mm-1, F(000) = 1228。结构用直接法解出,最终偏离因子R = 0.0285, wR = 0.0747。该化合物的结构包含单核的Co(hedpH2)2- 阴离子,阴离子之间通过氢键连结形成具有空隙的三维超分子骨架结构,双质子化的丁二胺分子位于空隙中。     

Solvothermal Synthesis and Crystal Structure of [H2N（CH2）2NH3]{Co[H2N（CH2）2NH2]3}[SbSe4]

1 INTRODUCTION The chalcogenidometallates with open frame- works have attracted considerable interest as pos- sible zeolite-like materials, of which highly interes- ting properties could be expected. Over the last de- cades a large number of thioanti…     

金霉素和土霉素对生物除磷中微生物EPS的影响

金霉素和土霉素在城市污水处理厂中检出率较高,通常以混合物的形式存在于污水中。微生物胞外聚合物(EPS)作为保护层抵御外界有害物质的侵害,在微生物生命活动中发挥着重要作用。目前,关于金霉素和土霉素对生物除磷中微生物EPS的影响较少。为探究金霉素和土霉素对生物除磷中微生物EPS的影响,采用直接均分射线法设计3种不同浓度配比(L1、 L2和L3)混合物,研究了不同浓度金霉素、土霉素单独作用及其混合物对EPS中蛋白质和多糖的影响。采用三维荧光光谱(3D-EEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析金霉素和土霉素对EPS组分及结构的影响。结果表明：随着浓度增加和反应时间的延长,生物除磷系统性能逐渐恶化,微生物EPS中蛋白质和多糖含量均呈现先上升后下降的趋势,且蛋白质含量均高于多糖。3D-EEM分析表明,随金霉素、土霉素及其混合物浓度增加,EPS中类蛋白质物质荧光强度均先增强后减弱,浓度较高时产生了类腐殖酸物质和类富里酸物质。金霉素与土霉素之间存在拮抗作用,使得混合物荧光物质的荧光强度均弱于单独作用,只有配比L3中未出现类腐殖酸物质和类富里酸物质。FTIR分析表明,金霉素、土霉素及其混合物对EPS...     

基于二缺位钨多酸化合物的二维相关红外光谱研究

通过水热法合成了一例新颖的稀土钨多酸化合物H₂₆(C₂H₈N₂H₂)K(H₂O)[K(H₂O)Nd₈(H₂O)₂(W₃O₁₂)(SiW₁₀O₃₈)₄]·18H₂O 1。该化合物的不对称单元由两个[SiW₁₀O₃₈]^12-通过一个{Nd₄(H₂O)¹²⁺}结构单元和W₃O₁₂连接而成。化合物1簇阴离子通过K离子连接成一维无限链,再通过氢键连接成二维平面结构。针对该化合物,做了一系列表征,测试了其二维相关红外光谱,并对其作了详细分析,结果说明化合物1簇阴离子振动偶极矩对磁...     

化学掺杂对于单层二硫化钨光致发光的影响

过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDs)因其显著的光学和电学特性而受到广泛的关注。其块状材料为间接带隙半导体,而单层材料则具有直接带隙半导体的特性。对于单层半导体材料,其拥有原子级别的厚度,容易引入外界环境掺杂,从而影响其发光特性。本文通过化学气相沉积法合成高质量,大面积的单层及少数层N-型二硫化钨(WS₂)材料。使用拉曼进行表征,通过其特征声子振动模式所对应的频率差,来确定材料层数。在此基础上,对比了材料中心和边缘的光致发光(Photoluminescence, PL)。相比于中心位置,边缘位置的荧光强度更强,且峰位也发生红移。这是由于生长过程中造成的缺陷密度不同。基于此,使用掺杂剂对材料进行处理,来改变其缺陷密度。处理后发现,边缘和中心位置峰位均发生蓝移,强度减弱,同时中性激子发射占据了主导。该结果也进一步证实了本文生长的单层WS₂为N-型半导体材料。     

含磷氮POSS改性乙烯基树脂的阻燃性和热性能研究

本文采用多聚甲醛、γ-氨丙基三乙氧基硅烷和9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物为原料,通过经典的Kabachnik反应制备了含磷、氮的笼型和半笼型结构的低聚倍半硅氧烷(N/P-POSS)。然后,通过与商品化MFE-711乙烯基树脂共混/共聚的方法制备得到改性乙烯基树脂。采用FT-IR、NMR、MALDI-TOF等对阻燃剂N/P-POSS进行了结构表征;采用氧指数(LOI)、UL-94垂直燃烧、锥形量热、热重分析以及动态力学分析等方法对乙烯基树脂固化物的阻燃性能和耐热性能进行了研究。结果表明,当N/P-POSS的添加量为4(wt)%时,乙烯基树脂固化物的LOI从19.5提高至27.5,并通过UL-94 V-1测试;并且热释放速率峰值和总热释放量分别降低了47.2%和20.9%;同时N/P-POSS的引入显著提高了乙烯基树脂的耐热性能,热分解温度提高了近10℃。采用扫描电镜和热重红外分析了其阻燃机理,主要为含磷自由基的猝灭效应,以及生成致密二氧化硅陶瓷相和含氮不可燃气体的阻隔作用,表现出了良好的磷、氮、硅协同阻燃效应。