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91.
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words. 相似文献
92.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
93.
以一维二次同余码(QCC)作为扩时模式,以光正交码(OOC)和QCC码作为频域跳频模式,通过时域和频域的组合,构造了适用于光码分多址(OCDMA)系统的QCC/QCC和QCC/OOC 2种跳频扩时码,并对码的容量及其相关性进行了分析。与一维QCC码相比,QCC/QCC跳频扩时码的容量扩大了p 1倍(p为码重),相关性得到改善,并且码字异相自相关限λa=1,互相关限λc=2;QCC/OOC跳频扩时码具有更大的码容量和更好的相关性,码字异相自相关限λa=0,所有码字按一定规律可分成p 1组(p为码重),每组内码字的互相关限λa=1,不同组间码字的互相关限λa=2。所得结果为光码分多址系统中跳频扩时码的构造提供了一种新的方法。 相似文献
94.
95.
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜
关键词:
2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜
多靶磁控溅射
吸收光谱
有效介质理论 相似文献
96.
在常温常压下采用新型旋转电极等离子体反应器,对辉光等离子体作用下的甲烷偶联反应制C2烃进行了研究。结果表明,甲烷偶联反应的主要产物为C2H2,占C2烃的80%以上,能量效率在5.6%~11.2%之间;增加H2含量可以提高CH4转化率和C2烃收率;在500~2200kJ•mol−1的能量密度范围内,CH4转化率随能量密度的增大而线性增加,C2烃收率随着能量密度的增加呈峰形变化趋势。 相似文献
97.
研究了一种新型的覆膜钡钨阴极——双层膜(Os-W/Re膜)钡钨阴极.对这种新型阴极的发射性能进行了测试,重点对其老炼前后表面薄膜的微观形貌进行了分析,表明中间层Re膜的加入使覆膜钡钨阴极的性能得到了改善.通过对Os-W双元合金膜钡钨阴极和Os-W/Re双层膜钡钨阴极发射特性的比较,发现Os-W/Re双层膜阴极的直流发射性能好于Os-W合金膜阴极.对两种阴极激活后发射表面的X射线光电子能谱分析表明,Os-W/Re双层膜阴极激活后表面形成的三元合金膜是其发射特性优于Os-W合金膜阴极的主要原因.应用扫描电子显微镜分析比较两种阴极激活老炼后的表面状态,结果表明:Os-W合金膜阴极在老炼一段时间后,其表面薄膜出现开裂,这会导致阴极发射均匀性下降;而Os-W/Re双层膜阴极在同样老炼条件下,发射表面薄膜均匀并保持完整,从而确保覆膜钡钨阴极发射均匀性和工作可靠性.
关键词:
双层膜钡钨阴极
Os-W/Re膜
Os-W膜
薄膜开裂 相似文献
98.
99.
不同方法制备的CO2-3替换磷灰石固溶体晶体化学的FTIR研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用不同方法制备了CO2-3替换的磷灰石固溶体,利用FTIR结合XRD对其进行了晶体化学研究,结果表明均相沉淀法制备的碳羟磷灰石(CHAP)属B型替换且替换方式是[CO3·OH]四面体替换[PO4]四面体;固相离子交换法制备的CHAP属A型替换且替换方式是[CO3]三角形配位体替换通道位置的OH-;固相反应法制备的碳氟磷灰石(CFAP)属B型替换,其替换方式是[CO3·F]四面体替换[PO4]四面体;sol-gel法制备的CHAP属AB混合型替换,其Ψ3分裂为Ψ3-1,Ψ3F,Ψ3-4.高斯函数法拟合表明Ψ3F峰是A型替换的Ψ3-2与B型替换的Ψ3-3的叠合.当WCO2-3<3.34%时,随CO2-3含量增加,A型替换量增大,且当WCO2-3=3.34%时达最大值,当3.34%<WCO2-3<7.52%时,随CO2-3含量增加,B型替换量增大,且当WCO2-3= 7.52%时亦到饱和. 相似文献
100.