HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.     

非晶态锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5的电学性质和电子自旋共振研究

对两种非晶态B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃-0.1V₂O₅(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V₂O₅不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B₂O₃-Li_{2关键词：}     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析

对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收，X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示，薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降，说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁，能带中有杂质能级的存在；样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构；扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。     

Spectrum Simulation of Li-Like Aluminium Plasma

X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion （Al^9＋ and Al^11＋ ） charge states of the target ion （Al^10＋） are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes.     

LD Pump Single-Longitudinal-Mode Nd：GdVO4/RTP Solid-State Green Laser

The single-longitudinal-mode Nd：GdVO4/RTiOPO4 （RTP） solid-state Green laser operation of a laser-diode （LD） end-pumped laser is realized by multi-cavities and a Brewster plate. The LD-pumped single-frequency green laser has been demonstrated by optimizing several parameters and a cavity length, with precise temperature controlling of Nd：GdV04, RTP and laser diode. When the incident pump power is 2 W at 808.4 nm, a single-frequency cw green laser at 532nm with output 210 m W is obtained, the optical-to-optical conversion efficiency is up to 10.5%.     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散