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81.
微脉冲电子枪的初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了微脉冲电子枪的模拟计算及其初步实验结果. 该电子枪采用铜铝镁合金作为冷阴极材料, 在以磁控管作为微波功率源的出束实验中得到了100mA/cm2的电流密度.实验结果与次级电子倍增解析计算和SEEG程序的模拟计算结果基本符合, 初步验证了微脉冲电子枪的基本原理, 为今后实验中得到更大的电流密度打下了基础.  相似文献   
82.
海藻酸钠/大豆蛋白共混凝胶微球的结构   总被引:4,自引:1,他引:3  
利用钙离子交联海藻酸钠/大豆分离蛋白共混溶液,制得海藻酸钠/大豆分离蛋共混凝胶微球.结果表明,海藻酸钠和大豆分离蛋白质量配比的不同以及各组分间相互作用的变化,微球呈现不同的微观结构.将微球干燥后置于水中溶胀,微球的尺寸无法回复到干燥前的尺寸,这是由于真空干燥处理使水分子挥发,促进微球内组分间形成了强的氢键作用所致.此外,用碱处理该共混微球,发现由于大豆分离蛋白溶解以及部分钙离子被置换析出,微球塌陷且内部形成了大孔.  相似文献   
83.
张学军 《数学杂志》2002,22(2):174-178
本文给出了C^n中超球B上Hardy空间H^p,Bergman空间Lα^p,Bloch空间β,Besov空间Bp及Lipschitz空间Ak^p之间的系数乘子。  相似文献   
84.
1984年,Martynyuk提出了矩阵李亚普诺夫函数的概念并研究了它在稳定性理论中的应用。但在他的文中有很多不足之处。本文提出一个形式上比Martynyuk更广泛的矩阵李亚普诺夫函数,它包含标量、向量李亚普诺夫函数,然后研究它的性质及其在稳定性  相似文献   
85.
用全势线性缀加平面波方法,考虑局域自旋密度近似研究虚晶掺杂MgCNi3的超导电性和磁性.计算了自旋极化能带结构、体弹性模量和它对压力的导数、原子磁矩 m 及其变化率.计算结果表明,对于电子掺杂的Mg1-xAlxCNi3(0≤x≤0.5), 超导电性和磁涨落随掺杂量的增加逐渐减小.空穴掺杂的Mg1-xNaxCNi3,在x=0.12处出现铁磁相变,超导电性消失.在MgCNi3少量空穴掺杂区域(0≤x<0.12),表现为超导与磁涨落共存的不稳定状态.  相似文献   
86.
李凯  刘红  张青川  侯毅  张广照  伍小平 《物理学报》2006,55(8):4111-4116
提出了一种基于微悬臂梁传感技术研究大分子折叠/构象转变的新方法.通过分子自组装的方法将热敏性的聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)分子链修饰到微悬臂梁的单侧表面,用光杠杆技术检测温度在20—40℃之间变化时由于微悬臂梁上的PNIPAM分子在水中的构象转变所引起的微悬臂梁变形.实验结果显示:在升温过程中,微悬臂梁的表面应力发生了变化并且导致微悬臂梁产生了弯曲变形,这个过程对应着微悬臂梁上的PNIPAM分子从无规线团构象到塌缩小球构象的构象转变.在降温过程中,微悬臂梁发生了反方向的弯曲变形,这对应着PNIPA 关键词: 构象转变 聚N-异丙基丙烯酰胺分子链 表面应力 微悬臂梁  相似文献   
87.
三代像增强器用微通道板的改进与发展   总被引:5,自引:4,他引:1       下载免费PDF全文
潘京生 《应用光学》2006,27(3):211-215
简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现,不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破,还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高,同时还要结合和拓展选通电源的应用。  相似文献   
88.
从力学上对不倒翁进行了分析,得出了对其配重位置的限定条件及其微振动的周期公式。  相似文献   
89.
一类泛函微分方程的渐近性质   总被引:9,自引:1,他引:8  
胡适耕 《应用数学》1989,2(1):61-66
本文考虑形如(t)=f(x_t)的泛函微分方程,其中f是“互助”映射(依Smith)。本文的主要结果(定理3)证明了以下事实:在一定条件下,对任何正的“初始函数”φ,方程(?)(t)=f(x_t)的解x(t,φ)渐近于一个唯一的正平衡状态。  相似文献   
90.
采用水雾化方法制备Fe7Al4Sn2P10C2B4Si4合金粉末,研究发现该合金具有强的非晶形成能力和高热稳定性,在粉末粒度小于400目时可以形成非晶态合金.采用该非晶粉末制备的磁粉芯在高频下品质因数显著高于MPP粉芯,说明该磁粉芯高频损耗较低.分析表明,非晶合金磁粉芯高频下损耗低的主要原因是电阻率较高.  相似文献   
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