静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。     

向量优化问题广义有效点的一个存在性定理

利用集值映射不动点定理及最优化问题与变分不等式的关系给出线性G^↑ateaux可微的锥凸映射的广义有效点的一个存在性定理。     

微尺度效应对螺旋槽干气密封性能的影响

本文引用考虑微尺度效应的雷诺方程,推导出了考虑微尺度效应的螺旋槽干气密封内部流动的近似算法。应用本文提供的算法对文献中干气密封的不同实验工况进行了计算,与相应的实验数据对比,计算结果和实验结果基本符合;切向动量调节系数σv对计算结果在尺度越小时影响越大;考虑微尺度效应时开启力的计算结果更趋于实验数据。     

KxCoO2·yH2O(x《0.2,y≤0.8)的晶体结构、输运及磁学性质

利用熔融KOH和Co3O4在较低温度(480℃)下反应制备出K0.36CoO2,然后用高锰酸钾溶液和饱和的过硫酸钾溶液进行氧化处理.氧化的同时伴随有水分子嵌入.K0.36CoO2用高锰酸钾和过硫酸钾溶液处理后分别得到K0.12CoO2·0.8H2O和K0.16CO2·0.6H2O.这两种化合物都属于六角晶系,表现出金属行为,脱水后主相变为正交结构并且呈现出半导体特性.K0.16CoO2·0.6H2O在56K附近可能存在自旋玻璃转变行为或其他涨落.随着钾含量的减少和水含量的增多,样品的自旋玻璃行为受到抑制或发生磁性相分离.样品K0.12CoO2·0.8H2O在零场冷却和有场冷却曲线上的分叉现象基本上消失.还讨论了产生KxCoO2与NaxCoO2体系结构和物性差别的原因.     

微扰影响下组合孤波的传输稳定性研究

针对最近发现的高阶非线性薛定锷方程的组合孤波解，我们数值研究了它在受到包括幅度偏离、参数条件偏离以及随机噪声等不同初始扰动后的传输特性。结果表明一定的精确脉冲在不同的扰动下有类似的稳定趋势。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．     

Y（Fe，Si）12化合物结构与磁性的第一原理计算

R（Fe，Si）12（R=Y，Nd）型稀土永磁材料具用重要的实际应用价值，然而对于V（Fe，Si）12化合物微观机理的理论计算工作至今尚未开展。采用新近发展的全势能线性缀加平面波（（L）APW）＋局域轨道（10）和广义梯度近似（GGA）密度泛函方法对其结构与磁性进行了研究。     

"直四面体"中一组有趣的性质

波利亚说 :“类比是一个伟大的引路人 ,求解立体几何问题往往有赖于平面几何中的类比问题 .”把立体几何知识与相关的平面几何知识类比 ,是实现知识转移的有效方法 ,有利于化难为易 ,启迪思维 .下面利用直四面体中一组性质说明之 .图 1 -11　定义如果从三棱锥P -ABC的顶点P出发的三条棱两两互相垂直 ,那么称这个三棱锥为直四面体 .(如图 1 -1 )2　性质图 2 -1性质 1　在直四面体P-ABC中 ,记S△ABC 是底面△ABC的面积 ,S△ABP,S△BCP,S△CAP 分别为三个侧面三角形ABP ,BCP ,CAP的面积 ,(如图 2 - 1 )①设△ABO为△ABP在平…     

三维波动方程柯西问题球平均公式的教学

在数学系本科基础课程数学物理方程的教学中 ,三维波动方程柯西问题的求解是很关键的一段。学生在此以前已学习了利用行波法与分离变量法求一维波动方程的解。对于波动方程的特性已有一定的了解 ,但在进入到高维波动方程的学习时 ,原有的求解方法不能适用 ,球平均法是很好的求解三维波动方程柯西问题的方法。由于其困难程度突然升高 ,学生对段内容常感到费解。为此 ,在教材编写与课堂教学中加以琢磨 ,化解这一难点是很有必要的。球平均法的实质是引入一个球平均算子 ,它将一个给定的函数变换成一个具有不同球心 ,不同半径的球面上的平均值函…     

Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities

photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects.