氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法，对Mg，Zn，Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化，从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数，其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能，总体态密度、集居数，差分电荷密度，并对此做了细致的分析. 计算结果表明，相对于Zn和Cd，Mg_In在InN中的溶解度会更大，并能提供更多的空穴态，非常有利于InN的p型掺杂. 关键词： 氮化铟 p型掺杂 电子结构 第一性原理     

非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭

本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施.     

有磁和无磁状态下YIG和YAG晶体高压下的声速和衰减

 YAG晶体是一种无磁石榴石,YIG晶体是铁磁石石榴石。通过对YAG和YIG晶体在高压加磁场和不加磁场条件下,研究铁磁石榴石和无磁石榴石晶体的超声行为。采用“回波重合法”测量声速,通过比较回波的幅度进行衰减的测量。我们发现,不存在磁场时,有磁石榴石和无磁石榴石在高压条件下声速和声衰减有类似的变化行为。我们也发现,无论有无高压,在YAG晶体中不存在磁声相互作用,而在YIG晶体中,则存在磁声相互作用。     

长江经济带与“一带一路”沿线国家贸易地区结构的实证研究

利用贸易额的绝对值和指数实证分析了长江经济带与“一带一路”沿线国家的贸易地区结构. 结果表明: 长江经济带与“一带一路”沿线国家的贸易过于集中, 且进出口贸易的整体地区结构和主要10个国家的内部地区结构均有所优化, 但不甚明显, 其中出口的整体地区结构更为分散, 进口的内部地区结构更为均匀. 最后基于分析结果, 为促进长江经济带与“一带一路”沿线国家贸易地区结构合理化发展提出了建议.     

水煮不影响花生过敏原数量和一级结构

花生是重要的食物过敏原之一,它应用广泛且会引起严重的过敏反应,近年来得到广泛关注。本研究对新鲜带壳和晒干后带壳花生进行水煮处理,探究热加工对花生过敏原蛋白的数量和一级结构的影响。采用凯氏定氮法测定水煮前后花生中的总蛋白含量发现,未加工鲜花生含蛋白11.16g/100g鲜花生,直接水煮和晒干水煮后,蛋白质含量分别为11.67g/100g鲜花生和11.14g/100g鲜花生,加工后花生总蛋白含量没有显著变化。利用iTRAQ(isobaric tags for relative and absolute quantitation)技术分析,结果显示鲜花生水煮及晒干水煮后Ara h 1等8种过敏原蛋白的数量比值均在0.85～1.67之间,聚丙烯酰胺凝胶电泳和iTRAQ肽段分析表明,水煮加工对花生过敏原蛋白质的一级结构也没有显著影响。因此水煮加工对过敏原蛋白的数量和一级结构的影响不显著。     

聚合物结构与其膜的气体渗透性

对聚合物结构与膜的气体渗透性之间的关系进行了简要综述，并就高性能分离膜材料应该具备的高分子链结构及聚集态结构作了进一步探讨。     

微通道板表面发雾的AES分析

应用俄歇电子能谱对微通道板表面发雾区域进行分析。分析结果表明,发雾区碳含量比正常区高三倍。由此可推测出,发雾是由碳污染引起的,而这种碳污染很可能是残留于微通道板上的某些有机物在烧氢时碳化所致。     

笛管式配气机构进气量的分析研究

阐述了笛管式内燃机配气机构的结构原理,并创建有限元模型,采用CFdesign软件仿真的方法对比传统配气机构和笛管式配气机构进气机理,分析进气过程中两者气缸体积流量的变化规律.结果表明:笛管式配气机构在提高较小转角或较小开度时,能使进排气流畅,进气更为充分,从而大大提高了进气量.     

水分子夹2,6-二(2-苯并咪唑基)吡啶水合物的晶体结构、氢键和DFT研究

基于实验得到的单晶结构建立了理论计算的结构模型,旨在用计算结果揭示实验所获得结构的微观驱动力,即弱相互作用的重要模式.通过对实验结构的异构化处理,建立异构体模型并进行比对,可以给出实验结构在能量上的优势.采用密度泛函方法对BIPy的2种同晶异形体I(实验获得的单晶结构)和II(根据I的结构设计的异构体)与水分子之间的氢键相互作用进行了计算.结果表明,BIPy-I在能量上具有明显优势,进一步证明了水分子在水分子夹中更适合作为氢键的受体.虽然BIPy-II构型也处于势能面上的稳定点,但是实验无法得到其单晶结构.因此,从BIPy-I构型中所观察到的N-H…O氢键模式是优势作用模式.     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构