发光强度的基本单位—坎德拉

发光强度的基本单位坎德拉是国际单位制的基本单位之一．本文较详细叙述了它的定义及其历史演变，简单介绍了该定义的复现原理、方法和实验装置．我国于１９８２年用电校准辐射计复现发光强度单位坎德拉，其总的不确定度为 ±０ ．２８％ ．最后，对坎德拉的发展方向作了简要的说明．     

固-液系统中表面增强喇曼散射强度ISERS对浓度c的依赖关系及水杨酸分子的吸附等温特性研究

在恒定温度下,通过测量不同浓度溶液中吸附在Ag镜表面水杨酸分子(SA)的表面增强喇曼散射(SEKS)强度(I_SERS,对固-液系统中吸附在Ag镜表面上SA分子的I_SERS对溶液浓度的依赖关系进行实验研究,并对I_SERS与吸附分子数N^s的关系进行分析讨论。实验研究和理论分析的结果表明:利用SERS技术通过测量I_SERS与溶液浓度c的依赖关系,可为固-液系统中分子在固体表面的吸附过程及吸附特性研究提供 关键词：     

纳米Ni在77 K温度下压缩行为的研究

利用低温力学测试系统研究了电化学沉积纳米Ni在77 K温度下的压缩行为. 室温下纳米Ni 的屈服强度为 2.0 GPa, 77 K温度下的屈服强度为3.0 GPa, 压缩变形量则由室温的10%左右下降到5%. 借助应变速率敏感指数、激活体积、扫描电子显微和高分辨透射电子显微分析, 对纳米Ni的塑性变形机制进行了表征. 研究表明, 在77 K温度下的塑性变形主要是由晶界-位错协调变形主导, 晶界本征位错弓出后无阻碍地在晶粒内无位错区运动, 直至在相对晶界发生类似切割林位错行为. 同时分析了弓出位错的残留位错部分在协调塑性变形时起到的增加应变相容性和减小应力集中的作用. 利用晶界-位错协调机制和残留位错运动与温度及缺陷的相关性揭示了纳米Ni室温和77 K温度压缩性能差异的内在原因. 关键词： 塑性变形 强度 位错     

Optical spectra and Exciton State in Vertically Stacked Self—Assembled Quantum Discs

We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases.     

非即变相位共轭反馈对半导体激光器动态特性的影响

从四波混频产生相位共轭的物理原因出发,定义了相位共轭镜（PCM）的响应时间．建立起非即变相位共轭反馈条件下半导体激光器的外腔模型。以响应时间及频率失调为参变量,对其分岔及噪声等动态行为进行数值分析。结果表明,不考虑噪声影响时,增加相位共轭镜响应时间会使混沌带出现的次数和范围得到较大的抑制,当响应时间增大到1．5ns时,混沌带消失,半导体激光器保持稳定的单周期状态;考虑噪声影响后,随若响应时间的相对强度噪声（RIN）可减小几dB甚至十几dB,产生突变需要的反馈量也增大一个数量级以上,且其频谱的峰值向高频方向移动;另外,由于共轭反馈引起的频率失调低于半导体激光器激射频率3个数量级以上．它只对分岔特性有影响．对相对强度噪声的影响几乎为零。     

Relativistic R-matrix studies of photoionization processes of Ar^5＋

The 3s–np photoionization processes of the ground state 2P1/2 and the metastable state 2P3/2 of Ar5＋ are investigated using our recently developed relativistic R-matrix code, where the interactions between the bound states and the continuum states are included. Both resonance positions and the oscillator strengths are in much better agreement with the absolute experimental measurements by Wang et al.[Wang J C, Lu M, Esteves D, Habibi M, Alna’washi G and Phaneuf R A 2007 Phys. Rev. A 75 062712] with a resolution of 80 meV than their theoretical results. The contributions of the two experimental unresolved transitions are distinguished in our calculations, which show that the transitions from the ground state also make significant contributions to some resonances. Our theoretical results are also in good agreement with the measurements for the first resonance with a higher resolution of 20 meV.     

Al2O3陶瓷涂层尖端受载下的声发射信号参量分析

为了考察再制造零件涂层结合强度检测仪评价涂层结合强度的可行性,以Al₂O₃陶瓷涂层为研究对象,在涂层表面进行压入试验,提取并分析了试验过程中声发射信号中的幅度、计数、能量与有效值电压(RMS)特性参数的时间分布曲线,读取了声发射信号突变点的波形,观测了压痕处涂层截面微观形貌。结果表明,声发射信号出现明显突变时,涂层界面确实产生了开裂失效。采用此检测设备可以有效诱导、界定涂层界面的断裂失效,声发射信号可以作为涂层开裂的临界判据,其中幅度的时间分布更能体现出Al₂O₃陶瓷涂层在压入过程中的裂纹萌生至涂层断裂的扩展过程;能量值对涂层的失效更为敏感,最为适合评价涂层的结合强度。     

电磁波检测

当今无线通讯技术迅猛发展,如何对变电所及输电线与移动电话基地台所产生的电磁场强度进行评估,便成为一个重要的工作.通过分析电磁波特征,论述了对这些电磁波辐射设施所产生的电磁场强度检测的方法.     

直流大气压电晕放电电子密度的光谱研究

利用自制针—板式放电装置,在大气中进行电晕放电实验。用发光区域照片光斑的大小,讨论了电晕层厚度与电源电压的关系。在相同针板间距下,电晕层厚度随着电压的升高而增大;在相同电压下,电晕层厚度随着针板间距的增大而减小。由于高能电子密度能够通过氮分子第二正带系337.1 nm的光谱强度大小反映,因此对氮分子第二正带系337.1 nm谱线的强度用发射光谱法进行了测量。实验结果发现在针尖附近高能电子密度最大,并且高能电子密度随电压的升高而增大;电压一定时,高能电子密度随针板间距的增大而减小。在针板间距和电源电压不变的情况下,高能电子密度随针尖曲率半径的减小而增大。     

高离化Kr33+离子22P -n2S(2≤n≤9)的耦极跃迁行为

本文构造了高离化Kr33+离子 1s2ns (2≤n≤9)和1s22p 态的波函数并利用其计算了体系的非相对论能量。为了得到高精度的理论计算结果,将相对论修正和质量极化效应作为一级微扰计算了体系的总能量和22P -n2S(2≤n≤9)跃迁能,本文的结果与有限的实验数据符合的较好。在此基础上完成了22P -n2S(2≤n≤9)偶极跃迁三种规范下振子强度的理论计算,三者的一致性进一步证明所构造的波函数在整个空间的准确性和可靠性。