全文获取类型
收费全文 | 9829篇 |
免费 | 1684篇 |
国内免费 | 5519篇 |
专业分类
化学 | 12125篇 |
晶体学 | 192篇 |
力学 | 122篇 |
综合类 | 220篇 |
数学 | 24篇 |
物理学 | 4349篇 |
出版年
2024年 | 99篇 |
2023年 | 292篇 |
2022年 | 391篇 |
2021年 | 370篇 |
2020年 | 343篇 |
2019年 | 366篇 |
2018年 | 224篇 |
2017年 | 364篇 |
2016年 | 393篇 |
2015年 | 411篇 |
2014年 | 738篇 |
2013年 | 680篇 |
2012年 | 658篇 |
2011年 | 685篇 |
2010年 | 623篇 |
2009年 | 753篇 |
2008年 | 814篇 |
2007年 | 728篇 |
2006年 | 796篇 |
2005年 | 641篇 |
2004年 | 683篇 |
2003年 | 597篇 |
2002年 | 573篇 |
2001年 | 497篇 |
2000年 | 420篇 |
1999年 | 442篇 |
1998年 | 387篇 |
1997年 | 389篇 |
1996年 | 343篇 |
1995年 | 380篇 |
1994年 | 315篇 |
1993年 | 300篇 |
1992年 | 339篇 |
1991年 | 246篇 |
1990年 | 245篇 |
1989年 | 223篇 |
1988年 | 96篇 |
1987年 | 54篇 |
1986年 | 45篇 |
1985年 | 27篇 |
1984年 | 25篇 |
1983年 | 26篇 |
1982年 | 5篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
131.
132.
Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films (Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50) for Phase Change Memory 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The multiple-state storage capability of phase change memory (PCM) is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents. 相似文献
133.
134.
135.
136.
137.
138.
用金属蒸汽真空弧源,以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了1016—1017/cm2的钇、镧离子注入,注入温度约为130℃.然后对注入样品进行表面分析.x射线光电子能谱分析表明,注入的钇以Y2O3形式存在,镧以La2O3形式存在.俄歇电子能谱表明,纯锆基体表面的氧化膜厚度随着离子注入剂量的增加而增加,当离子注入剂量达到1017/cm2时,氧化膜的厚度达到了最大值.卢瑟福背散射显示镧层的厚度约为30nm,同时直接观察到当离子注入剂量为(La+Y)1017/cm2时,纯锆样品表面发生了严重的溅射.
关键词:
纯锆
钇和镧离子共注入
卢瑟福背散射
x射线光电子能谱 相似文献
139.
140.