硅磷酸铝分子筛SAPO—34稳定性的研究

利用差热分析（ＤＴＡ）、原位ＸＲＤ技术研究了ＳＡＰＯ－３４分子筛原粉样品的晶体结构在模板剂烧除过程以及环境气氛中的变化情况。采用１０７３Ｋ下的高温焙烧和水蒸汽处理以及甲醇转化试验跟踪考察了该分子筛在结构和催化性能上的稳定性。     

三十烷醇在GA_3影响水稻幼苗生长和生理性状中的增效作用

微量三十烷醇（ＴＲＩＡ）与ＧＡ３配合使用，比ＧＡ３单独使用能明显地促进幼苗生长和增加幼苗干物质积累．同时还增强了ＧＡ３对幼叶中叶绿素含量、可溶性蛋白质含量、呼吸速率、细胞膜透性和过氧化物酶活性的影响．ＧＡ３＋ＴＲＩＡ与ＧＡ３处理相比，促进幼叶内源ＧＡ３水平提高，稳定保持内源ＺＴ于一定水平，ＴＲＩＡ在ＧＡ３低浓度时降低ＩＡＡ水平，在高浓度时则提高ＩＡＡ水平．作者认为ＴＲＩＡ可作为ＧＡ３处理时的增效剂．     

二乙胺合三(5-甲基-2-苯并噻唑基)硼烷的晶体结构

标题化合物二乙胺合三（５－甲基－２－苯并噻唑基）硼烷（Ｃ２８Ｈ２９ＢＮ４Ｓ３（Ｍｒ＝５２７．５７）的晶体属于三斜晶系，空间群为Ｐ１，晶胞参数ａ＝０．３９７（８）ｎｍ，ｂ＝１．１７４２（６）ｎｍ，ｃ＝１．３１００（２）ｎｍ，α＝１０４．２９（２）°，β＝９２．９９（３）°，γ＝９８．５８（５）°，Ｖ＝１．３７９０ｎｍ３，Ｚ＝２，Ｄｃ＝１．２７０ｇ／ｃｍ３，μ（ＭｏＫα）＝２．８０４ｃｍ－１．结构的偏离因子Ｒ＝０．０６４８，Ｒｗ＝０．０７３７．结构测定表明，甲基取代基的电子效应导致硼碳键键长的平均化，预示杂环对硼原子的π－电子反馈与胺基氮原子对硼原子的反馈有彼消此长的关系．     

3—二氯乙酰基—2，5—二甲基—2—乙基—1，3—E唑烷的一锅法合成与生物活性

利用“一锅法”合成了标题化合物，经元素分析，IR和^1H NMR确定了结构，并对产物进行了初步的生物活性测定。     

Self-Assembly of Micro-Parts onto Si Substrates at Liquid-Liquid Interface

We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

不同气压背景下激光烧蚀Al靶产生等离子体特性分析

用时间和空间分辨诊断技术研究了脉冲激光烧蚀不同气压环境下金属Ａｌ靶过程中产生的等离子体羽的特性。     

X光光电子能谱法测定胶片中氟,硅和铝的研究

应用Ｘ光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的１ｓ能级的结合能；分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化，表明氟化物分布在护膜最表层，是一种易溶于水的氟化物；测定了彩色片护膜层所含硅２ｐ能级的结合能，与自制彩色片护膜层测定结果比较，优质片含一种较多负电性，用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂；对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较，提出优质彩色片Ｆ－４００的护膜层可能是双     

硼烷分子中化学键性质的研究 Ⅱ. B3H7中四中心键及B3H9中三个隔离的氢桥三中心键

用Dunning基进行从头计算的结果表明:在B_3H_7(1103)中氢桥三中心键与BBB三中心键间已用σ-共轭效应”融合”为一个四中心键,其特征为f_(B(1)-B(2))=0.1653,f_(B(2)-B(3))=0.1429,f_(B-H_b-B)=0.3416,f_(4center)=0.7193hartree/bohr.但在B_3H_9中三个氢桥三中心键间不相互作用,保持相互独立,其特性为f_(B-B)=0.0558,f_(B-H_b-B)=0.3922,f_(H_b3cen)=0.5115hartree/bohr.