Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

关键词：     

Experimental Study on Spiral Patterns in Dielectric Barrier Discharge System

Spiral patterns are obtained in a dielectric barrier discharge system with water electrodes. The dynamics of spiral formation and transition is investigated. Wavelength characteristic of spiral patterns is also studied. Correlation measurements indicate that the wavelength of spiral pattern increases with the increasing gas gap width and oscillates with the increasing drive frequency.     

三缺位杂多阴离子PW_9(O_(34))~(9-) 的二苯基硅衍生物的合成和表征

以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在 4 95.2℃左右     

新型噻吩基取代卟啉的合成及其荧光光谱研究

合成了两种新型噻吩基卟啉－5，15－二（2－噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7a（45．1％）和5，15－二（2－联噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质，其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处，量子产率分别为4．1％（7a)和1．4％（7b)。     

阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响

对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强.     

第一届掺杂纳米材料发光性质学术会议

该会议为中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员主办的国内首次纳米材料发光性质专题学术研讨会，旨在通过大会报告、专题研讨等活动，总结、交流近年来掺杂纳米发光材料及其相关应用领域所取得的研究进展和成果。在此基础上凝练科学目标、探讨和规划未来的学科发展方向并集中国内的优势资源攻克难点的科学问题，使我国在该研究领域更具国际竞争力。会议诚邀请该领域知名的专家和学者参加；在探索纳米世界之余，也将带您领略海南美丽而独特的自然景观和人文奇迹。     

精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。