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51.
We investigate the transport properties of a pair of Majorana bound states in a T-shaped junction, where two normal leads are coupled with an identical Majorana bound state. Both the scattering matrix and the recursive Green function method show that the peak value of the differential conductance (Gpeak) in units of e2/h and the shot noise Fano factor in the zero bias limit (F0), which are measured at the same lead and zero temperature, satisfy a linear relation as F0=1+Gpeak/2, independent of the magnitude or symmetry of the coupling strengths to the leads. Therefore, combined measurements of the differential conductance and shot noise in the T-shaped geometry can serve as a characteristic signature in probing Majorana bound states. 相似文献
52.
袁光伟 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):355-356
研究非线性抛物型方程隐式格式的迭代加速求解方法,包括三方面内容:一是构造具有二阶收敛性的非线性迭代方法,二是迭代初值的选取方法,三是证明迭代方法的保正性。 相似文献
53.
王振 《原子与分子物理学报》1993,10(4):2972-2976
本文应用群论原理及不可约张量性质,详细推导了Oh型分子三重简并态Amat-Nielsen方案中精确到四级的Hamiltonian算符,为Oh型分子精细结构理论和光谱的进一步研究做了数学上的准备。 相似文献
54.
提出由T型空腔和挡板组成的两种金属-电介质-金属(MIM)波导结构,分别为:正T型空腔结构和倒T型空腔结构,并应用有限元法系统地研究了该结构的透射特性.对于正T型空腔结构,仿真结果出现了双重法诺共振现象,并且共振波长可以通过改变T型空腔长度和高度进行调节.该结构有助于设计成敏感度达到1 620nm/RIU、品质因数为5.4×10~4的纳米传感器.对于倒置T型空腔,在波导中产生了多重法诺共振现象,其敏感度可达1 560nm/RIU,品质因数为9.37×104.该结构有望在光学集成回路,特别是纳米传感器、光束分路器方面具有广泛应用. 相似文献
55.
利用传输矩阵法研究了液晶染料填充一维阶梯型Double-period第四代准周期结构局域模的光学特性。计算了增益前局域模与外加电场方向和正入射波方向间夹角θ的变化关系,分析了增益系数与局域模透射率的关系以及局域模在空间位置的光场分布,讨论了增益后的局域模透射率与光场强度的关系。结果表明:随着夹角θ的增大,光子禁带变宽并且只向短波方向拓展;随着夹角θ的增大,增益前的局域模向短波方向移动,透射率逐渐增大,且局域模波长的调控量为23.7nm。随着增益系数的增大,透射率先增大后减小。光场分布呈现局域现象,当夹角θ=43.4°,波长λ=595.0nm时,光强达到6个数量级。增益后的局域模透射率与光场强度呈正比关系。 相似文献
56.
运用核磁共振(NMR)方法分别测定了表面活性剂辛基苯聚氧乙烯醚(TX-100)和十六烷基三甲溴化铵(CTAB)在不同温度下的临界胶束浓度.阐述了应用1D NMR线型分析方法对表面活性剂快交换体系平均停留时间的定量测量.实验测量了TX-100和CTAB胶束溶液中表面活性剂分子在不同温度下的平均停留时间.结果显示,平均停留时间随温度的增加逐渐减小,说明TX-100和CTAB分子进出胶束的速率随温度的增加逐渐加快.利用阿伦尼乌斯公式拟合,获得了TX-100和CTAB的表观交换活化能,TX-100的表观交换活化能为17.6 k J/mol,CTAB的表观交换活化能为75.3 k J/mol.对TX-100和CTAB平均停留时间和表观交换活化能进行分析,得出平均停留时间和表观交换活化能与分子结构的关系:表观交换活化能反映的是疏水相互作用和静电斥力的大小;而平均停留时间不仅受活化能的影响,还与分子结构有关. 相似文献
57.
文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400~700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1~2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值. 相似文献
58.
59.
60.
GUO Yang LIU Yao-Ping LI Jun-Qiang ZHANG Sheng-Li MEI Zeng-Xia DU Xiao-Long 《中国物理快报》2010,27(6):171-174
A Van der Pauw Hall measurement is performed on the intended doped ZnO films (Na doped ZnO) grown by using the molecular beam epitaxial method. All as-grown samples show n-type conductivity, whereas the annealed samples (annealing temperature 900℃) show ambiguous carrier conductivity type (n- and p-type) in the automatic Van der Pauw Hall measurement. A similar result has been observed in Li doped ZnO and in as-doped ZnO films by other groups before. However, by tracing the Hall voltage in the Van der Pauw Hall measurement, it is found that this alternative appearance of both n- and p-type conductivity is not intrinsic behavior of the intended doped ZnO films, but is due to the persistent photoconductivity effect in ZnO. The persistent photoconductivity effect would strongly affect the accurate determination of the carrier conductivity type of a highly resistive intended doped ZnO sample. 相似文献