GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性．变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性．最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征．     

超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究

用调制光谱的方法对分子束外延（MBE）生长在GaAs（100）衬底上的一组超薄层本征型Al_xGa_1-xAs层进行了原位的研究．对厚度在35nm以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而对厚度在100nm的样品只观察到了一个跃迁峰．观察到的各峰随厚度的改变而变化．用台阶势模型很好地解释了实验结果 关键词：     

连续氢化物发生—微波等离子体炬原子发射光谱法测定砷

对连续氢化物发生－微波等离子炬原子履地测定砷进行了研究，对这一方法的分析性能考察结果表明，本法对砷的检出限（３σ）ｎｇ／ｍＬ线性范围达三个数量级，大多数共存离子的干扰很小，对实际样品是一种简便、快速、准确的分析方法。     

基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关

提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关，分析了驰豫速率γ21对光开关的影响，这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果，由于半导体结构与材料可以人为地选择，相干强度可以控制和改变，这种半导体弱光开关比采用原子系统更实用，这也是一种在半导体材料中实现一束光控制另一束光的方法。     

水质砷自动分析仪比对实验方法的探讨

探讨了砷自动分析仪与原子荧光法测定的实验方法,用水样相对误差绝对值的平均值（A值）和t检验两种方法对比对结果进行了判断。找出了9项环境保护行业标准之外的自动分析仪,在实际工作中比较切实可行的比对实验的方法。     

Room—Temperature A1GaAsSb／InGaAsSb Multi—Quantum—Well Lasers with High Chraracteristic Temperature

Planar structure A1GaAsSb/InGaAsSb lasers operated at 2.01/zm with high characteristic temperature have been fabricated from a strained multiple quantum-well heterostructure. To decrease the free carrier induced absorption of optical mode in the mid-infrared, we design a broaden waveguide layer in the laser structures to decrease the optical mode distribution in the heavy doped cladding layer, therefore it can be absorbed easily. To enhance the characteristic temperature of laser diodes, A1 constituent up to 80% was applied to the A1GaAsSb cladding layer. The laser diodes with a threshold current density of 1.8 kA/cm2 can be pulsed operating up to 340 K. The characteristic temperature To is 125 K and 90 K in the operating temperature ranges 170-220 K and 230-340 K, resDectivelv. The emission spectrum shows a multiple longitudinal mode.     

难浸金矿的焙烧预处理技术研究

本文通过对国内外对难浸金矿的焙烧预处理技术现状的介绍,对脱砷、脱硫焙烧和固砷、固硫焙烧工艺进行研究,结果表明:两种方法都能够使金的浸出率达到85%以上,且投资少,能够获得较好的经济效益.     

高频区具有大带隙的二维像素型光子晶体结构

针对方块像素组成的二维光子晶体，传统平面波展开法可经修正使之收敛速度大大提高。采用快速算法，在高频区域找到了一种具有稳定的较大绝对禁带宽度的GaAs光子晶体结构，绝对禁带宽度为0．0995ωc(ωc-2π／α，α为晶格常量，c为光速)，中心频率为1．2625ω。