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71.
针对半导体制造中的有滞留时间约束集束型装备调度问题,以最小化生产周期为目标,建立问题的数学模型,提出基于机械手搬运作业顺序编码的改进遗传算法.设计基于禁止区间法的启发式构造算法以生成初始种群,避免了不可行染色体的产生;通过互换染色体中处于机械手全等待的基因位置,以及基于图论的不可行解修复技术改进局部搜索效率,避免冗余迭代和陷入局部最优等现象.与遗传算法、混合量子进化算法的仿真实验比较,验证了提出算法的有效性和鲁棒性. 相似文献
72.
为鼓励和引导绿色技术发展,驱动预防性技术和处理性技术协同进步,有必要开发环境规制的绿色技术进步导向功能,并探究其传导机理。论文通过建立双寡头同时博弈模型对环境规制、环境研发与绿色技术进步进行关联分析。研究表明:环境研发是环境规制推动绿色技术进步的重要传导路径;环境补贴力度会显著影响环境规制政策组合的技术进步效果;绿色技术进步导向的环境规制的政策组合存在一个普适性较强的应用策略;环境税和环境补贴的规制政策组合能够有效增进社会福利,具体表现为通过污染预防技术和污染处理技术的协同进步带来的产量增加、生产成本减少、污染产生量减少以及污染处理量增加。 相似文献
73.
74.
由于增材制造逐层累积的工艺特点, 其成形材料力学性能往往不同于传统减材制造材料. 在航空航天、核工业以及医疗领域中, 对增材制造材料疲劳性能的研究不足导致其很难作为主承力件使用, 这制约着增材制造技术的进一步推广使用. 本文以增材制造316钢为对象, 通过仿真手段研究其高周疲劳性能, 研究表明循环载荷下滑移带与晶界处的裂纹萌生是增材制造316钢材料发生高周疲劳的主要原因. 根据提出的微观力学模型研究了增材制造316钢的高周疲劳性能, 其中分别使用唯象学晶体塑性理论和弹塑性内聚力模型模拟晶粒和晶界的力学行为. 为了准确评估增材制造316钢的高周疲劳性能, 本文针对于晶粒和晶界分别采用Papadopoulos疲劳准则和一种基于安定性理论的介观疲劳准则同时考虑位错滑移和晶界对疲劳性能的影响. 最后, 为了验证所提微观力学模型的有效性, 本文对比了增材制造316钢和轧制316钢高周疲劳性能的仿真结果. 与实验结果相同, 仿真结果显示增材制造316钢相较于轧制316钢具有更好的高周疲劳性能. 相似文献
75.
拓扑优化和增材制造分别是先进的结构设计技术和制造技术,将拓扑优化与增材制造融合能产生显著的协同效益.增材制造存在一些独特的制造约束,研究考虑结构自支撑约束的拓扑优化算法,可以降低材料和时间成本.基于SIMP方法框架,建立显式约束函数模型表征结构的自支撑特性,并发展了相应的拓扑优化流程,通过结构渐进演化实现自支撑.研究了相应的灵敏度分析方法,可实现并行计算.提出一个指向性灵敏度过滤算子促进支撑结构演化.采用3个数值算例进行分析,验证了指向性灵敏度过滤的有效性,所有拓扑优化结果均实现了结构自支撑.与典型方法相比,优化结果的可制造性更好. 相似文献
76.
产学研协同创新意愿高低关键在于合作收益的大小及分配,且这种大小和分配不是基于固定收益下不同贡献度的分配,而是将创新收益与产品市场表现挂钩,基于动态收益的分配.据此,构建了一个优化模型,分析市场需求(初始市场需求、未来市场需求)、收益分配、研发投入三种因素对协同创新意愿的影响.结果显示:一是企业收益分配比例受到未来市场需求的强烈影响,不同的取值范围导致协同创新意愿与初始市场需求之间存在线性、"U"型、和倒"U"型三种不同关系.二是协同创新意愿与研发投入呈负相关关系,表明通过提升企业分配比例可以抵消由研发投入增加带来的负面效应.这些结论不仅深化了关于协同创新意愿影响因素及其影响机制的研究,而且对协同创新可持续发展的利益分配机制提供了新的研究思路和对策启示. 相似文献
77.
为有效解决产品在研发过程中存在的一系列质量可靠性问题,本文提出了一种新的基于犹豫模糊偏好关系的改进FMEA方法。考虑到专家小组对不同失效模式评估时主要依据相关标准和自身经验,存在犹豫模糊不确定或自身偏好问题。本文首先对风险因子的评分标准进行犹豫模糊化,并用犹豫模糊偏好关系对失效模式的相对风险矩阵进行处理;其次,将得到的具有犹豫模糊偏好关系的综合偏好值与犹豫模糊评价信息相结合,得到改进的风险优先数,从而得出新的失效模式风险评估顺序对FMEA进行改进;最后,利用改进的FMEA模型对产品研发过程中的质量风险进行分析验证,使得风险结果更接近实际情况,进而提高研发成功率,显示该方法可行、有效。 相似文献
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随着科技的发展 ,集成电路芯片上的插口与记忆元件会愈来愈多 ,所以在硅或金属底板上的空间显得极其拥挤 .现有的短波光刻技术能生产 6 5nm宽的连线以及 90nm的连线间距 ,因此微型芯片的制造商们都力图寻找能雕刻更加精细连线的光刻技术 .为此 ,美国政府 (以加洲劳伦斯伯克利国家实验室的近代光源研究所为主 )和跨国工业财团 (如AMD ,IBM ,微软 ,摩托罗拉等 )携手合作 ,现在以P .Naullear教授为首的研究组已开发出了紫外波段的光刻技术 ,这种紫外光刻术能在芯片底板上生产出 39nm的线宽和 70nm的线间距 .他们计划在 2 0 0 7年以前生产出… 相似文献
80.