氙灯泵浦新型晶体Nd∶S－VAP调Q激光器腔内倍频研究

采用氙灯泵浦晶体Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ，ＫＴＰ晶体腔内倍频，实现了Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ晶体０．５３２５μｍ绿光激光ＢＤＮ染料片调Ｑ运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度，给出了染料片调Ｑ腔内倍频的耦合波方程组，数值求解方程组，所得的理论数据与实验结果很好地相符     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

氯化钠团簇的形成规律与结合能计算

当离子蒸气冷凝形成团簇时，其结构表现出特定的规律。文中对不同大小不同形状的氯化钠团簇结构与结合能进行了计算，以求揭示离子蒸气冷凝形成团簇的一些规律，并与实验结果进行对照。     

三硼酸锂晶体的生长形态

用自由生长系统研究了三硼酸锂ＬｉＢ_３Ｏ_５（ＬＢＯ）晶体的实际生长形态。实验表明，它的各晶面簇的重要性的顺序为：｛１１０｝＞｛０１１｝＞｛２０１｝＞｛１１１｝。讨论了ＬＢＯ晶体的生长习性与内部结构之间的关系并应用负离子配位多面体理论模型解释了ＬＢＯ晶体的生长形态。     

多核配合物中金属间相互作用的电化学研究：取代三联吡？…

报道了２个取代三联吡啶配体（４′－苯基－２，２′：６′，２″－三联吡啶（Ｌ１）和４′－二茂铁基－２，２′：６′，２″－三联吡啶（Ｌ２）的Ｃｏ（Ⅱ）配合物（Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ１）２）（ＣｌＯ４）２．４ＣＨ３ＣＮ（１）和（Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ２）２）（ＣｌＯ４）２Ｈ２Ｏ（２）的合成及配体Ｌ２的配合物１和配合物２的晶体结构，电化学研究表明：在配合物２中，由于Ｃｏ＾２＋的作用，二茂铁基的氧化电位较配体Ｌ２中的二茂铁     

石英晶体微天平技术研究纳米TiO_2表面Cu(Ⅱ)吸附与光化学还原过程

环境中排放的重金属离子Cu!对水生和陆生生物有强的毒害性。饮用水中Cu!的浓度高于1.0mg·L-1时,将会导致人畜得血色沉着病和胃肠粘膜病[1]。Cu!无法进行生物降解,除去废水中Cu!的常见方法有离子交换、置换、化学沉淀等[2],然而这些方法需要消耗大量的化学试剂,成本高。近来,研     

Yb:GdVO4晶体的缺陷研究

Yb：GdVO4晶体是一种很好的激光材料，但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响，开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。采用提拉法生长了面25mm×20mm，掺杂浓度为2％的Yb：GdVO4晶体；分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响；采用化学腐蚀法，以盐酸、氢氟酸为腐蚀剂，对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验，通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究；对晶体进行了高分辨X衍射实验，结果表明晶体中存在镶嵌块结构；开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。     

溶菌酶在裸金电极和疏基乙酸或正十二疏烷基醇修饰电极上的吸附

电化学石英晶体阻抗系统;疏基乙酸;溶菌酶在裸金电极和疏基乙酸或正十二疏烷基醇修饰电极上的吸附     

动力学—压电石英晶体传感器测定水中微量汞的研究

基于涂银压电石英晶体对ＣＮ＾－离子的灵敏响应，应用汞对六氰合铁酸钾与邻二氮杂菲反应的动力学催化作用，建立了动力学－ＰＱＣ传感器单面触液测定微量汞的新方法。研究了ＰＱＣ传感器对汞的响应机理，响应曲线，实验条件及共存离子干扰情况。