含超导材料Thue-Morse序列一维光子晶体传输特性研究

超导光子晶体是一类重要的带隙可调谐的光子晶体.利用传输矩阵法研究了含超导材料的Thue -Morse序列准周期结构—维光子晶体在可见光波段的传输特性.数值结果表明在正入射时,光子带隙宽度和位置基本不随序列项数的增加而改变;准周期超导光子晶体的传输特性可以通过改变传统电介质材料的结构参数和环境温度等来进行调节.     

掺杂对一维光子晶体带隙传输特性的影响

 基于传输矩阵法,数值研究了掺杂对一维光子晶体带隙特征的影响。研究表明：掺杂时,禁带中心会出现一导带,导带深度会随着掺杂位置、杂质折射率的变化而发生变化。当晶体结构给定时,总存在一个掺杂位置,使其禁带中心的导带深度达到最深;而对于给定的掺杂位置,当杂质折射率为某特定值时,禁带中心同样也会出现一个深度最深的导带,这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。     

强磁场中氢原子的能级结构

发展了一套简单高效的非微扰理论方法研究强磁场中的原子能级结构.作为例子,给出了磁场强度从0到1000个原子单位,氢原子基态和低激发态的结合能以及四极矩等重要原子能级结构参数.结果表明:相对于其他的高精度计算方法,该方法不仅能计算出高精度的能级位置而且可方便给出精确的电子波函数.此外,该法还具有很强的普适性,可直接推广到原子与任意方向的交叉电磁场相互作用的研究. 关键词： 强磁场 CWDVR谱方法 氢原子能级结构 四极矩     

具有高消失矩的3-进正交对称小波的构造(英文)

本文给出一类具有高消失矩的对称3-进正交小波的构造.首先通过解非线性方程组构造出高消失矩的尺度函数.其次,基于矩阵扩充的方法,我们给出新的定理和算法.相应的关于原点对称/反对称的小波由我们提出的方法构造,并且,该方法便于计算机程序化实现.最后,我们通过3个实例来验证相关的结论,该类小波为应用提供了好的选择.     

相协样本半参数回归模型估计的矩相合性

考虑半参数回归模型Y(j) (xin,tin) =tinβ g(xin) e(j) (xin) ,1 ≤j≤m ,1 ≤i≤n .利用最小二乘法和权函数估计方法 ,定义 β ,g的估计量βm ,n和gm ,n(x) ,在负相依样本及较弱的条件下证明了这些估计的矩相合性 ,这些结论推广和改进了胡舒合 ( 1 997)关于独立情形的相应结论 .     

The output torque estimation of MCMG for agile satellites

Studied in this paper are the attitude control law design and the output torque estimation problem of micro control moment gyros （MCMGs） for the agile satellites executing rapid attitude maneuver mission. An algorithm is proposed for estimating the output torques and the gimbal angular rates of MCMGs, which can help engineers to choose reasonable size for actuators so that the cost of satellite can be decreased. According to some special maneuver missions, a numerical example of attitude control system for a small satellite with MCMGs in pyramid configuration is studied, and the simulation results validate the proposed estimation algorithm.     

金属插层对C60／A1N一维光子晶体带隙的影响

利用传输矩阵方法，研究了金属Ag插层对C60／A1N一维光子晶体带隙宽度以及反射率的影响．结果表明：在C60，与A1N之间插入Ag组成的[C60／Ag／A1N]n一维光子晶体，与未插入Ag层相比可使带隙增宽73．91％．最大反射率提高到91．01％．该结构可望用于制作紫外线波段的宽带反射镜．     

电场中三层铁电超晶格的物理性质研究

基于微分算符技术的相关有效场理论研究用伊辛模型描述的铁电三层超晶格的物理性质。讨论了电场对电极矩、电极化率、热电系数等物理性质的影响。     

同分布两两NQD列的最大值不等式及其应用

设{xn，n≥1}是同分布的两两NQD列，记Sn=∑i=1Xi^n．本文讨论了max ｜Si｜/i（n≥1）的分布函数的上下界．作为应用，获得了随机变量supn≥｜Sn｜/n型的1阶矩及p（〉1）阶矩分别存在有限的充分必要条件，这是一个与独立同分布场合相一致的结果．