磁电子学器件应用原理

本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。     

最有效的相容剂是两嵌段还是多嵌段聚合物？

采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A／B／嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性．占总体积19％的A组份在体系中为分散相．模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为．两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积．从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生．     

自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．     

苝二酸酐与嘧啶衍生物的氢键组装

用半经验AM1方法对苝二酸酐与嘧啶衍生物的1:1及1:2氢键复合物进行理论研究,表明随着氢键数目增多,弱相互作用能变大,主体上的供电基和客体上的吸电基有利于氢键相互作用,氢键导致电子从主体流向客体.用INDO/SCI方法计算配合物的电子光谱,表明其长波吸收峰与主体相比发生兰移,各配合物的长波吸收峰位置相差不大,与实验一致.讨论吸收峰兰移的原因并对电子跃迁进行理论指认,同时得到了配合物的双质子转移势能曲线,给出了相对于N-H键的过渡态和活化能.     

表面活性剂对均相沉淀法制备单晶Ce2O(CO3)2￠H2O微粉形貌及 形成机理的影响

在尿素及硝酸铈的混合溶液中分别加入表面活性剂CTAB、 PEG19000、OP-10,利用均相沉淀法合成了不同形貌的CeO2超细前驱体Ce2O(COa)2·H2O,采用X射线衍射及透射电子显微镜等测试手段,对产品的物相和形貌进行了表征．实验结果表明,所得产品均为斜方晶系的单晶Ce2O(CO3)2·H2O,且表面活性剂的加入使晶体的晶化程度明显提高;添加不同的表面活性剂得到不同形貌尺寸的产物: 阳离子型表面活性剂CTAB对Ce2O(CO3)2·H2O晶体的形貌影响不大,所得产物尺寸变小,且分散性得到一定的改善;非离子型表面活性剂对所得产物的形貌影响显著．加入PEG19000和OP-10分别得到了形状排列有序的、尺寸较均匀的、较规则无团聚的微米棒及具有紧密结合中心的发散状的花样微粒．不同形貌前驱体的形成与晶粒形成生长机理的改变有关．     

焚烧炉中多孔介质状垃圾团块传热分析

以焚烧炉中垃圾团块的传热问题为背景,研究含高水分的多孔介质在高温环境下的传热规律。气、固相处于非热平衡态,分别列出其能量方程,且能量方程中考虑辐射项。从描述多孔介质传热的质点方程出发,采用局部容积平均法导出平均化方程,根据经验修正方程中的系数,并列出适当的初始条件和边界条件,用数值计算方法求出垃圾团块中气、固两相的温度场。     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

正相协列乘积和的重对数律与强大数律

证明了强平稳正相协列乘积和的重对数律与不同分布正相协列乘积和的强大数律,指出了部分和服从强大数律但乘积和未必服从强大数律这一事实,并讨论了定理2中一个条件的必要性．     

自组装有机分子薄膜的可逆超高密度信息存储

信息技术的迅速发展对信息存储密度提出了越来越高的要求，采用自组装方法研究了有机分子4’-氰基-2，6-二甲基-4-羟基偶氮苯（4’cyano-2，6-dimethyl-4-hydroxy azobenzene）的成膜特性．通过在扫描隧道显微镜的针尖和基底之间加脉冲电压在薄膜上进行信息点的写入，得到了直径为1．8nm的信息点，并分析了信息点形成的机理．