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991.
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
关键词:
氮化铟
p型掺杂
电子结构
第一性原理 相似文献
992.
993.
采用微扰静态(PSS)模型近似处理极化和结合能效应,并引入了相对论效应、能量损失效应和库仑偏转效应修正的ECPSSR理论是描述直接库仑电离过程最成功的理论,但对于低能离子入射时, 其结果明显低于实验值. 采用联合分离原子(USA)模型替代ECPSSR中的PSS模型,考虑分子轨道效应得到了基于USA模型的电离理论——MECUSAR理论. 对部分碰撞系统进行了计算,得到的碰撞截面与实验结果基本符合. 结合OBKN(Oppenheimer-Brinkman-Kramers formulas of Nikolae
关键词:
X射线产生截面
离子-原子碰撞
电子俘获 相似文献
994.
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性,从自旋扩散理论和欧姆定律出发,得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现,极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子,即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响.
关键词:
自旋电子学
自旋注入
有机半导体
极化子 相似文献
995.
用金属离子注入方法在锐钛矿TiO2薄膜中掺杂了V+,采用全势线性缀加平面波方法计算了锐钛矿TiO2及V+掺杂TiO2超原胞的电子结构,通过紫外-可见吸收光谱测试方法检测了注入不同剂量的V+对TiO2薄膜吸收光谱的影响.理论计算和实验结果表明,锐钛矿TiO2薄注入V+后,带隙宽度变小,吸收光谱发生红移,并且TiO
关键词:
+注入')" href="#">V+注入
2')" href="#">TiO2
全势线性缀加平面波方法
能带结构 相似文献
996.
以激光微区发射光谱分析仪结合CCD光栅光谱仪为装置,采用二谱线法,以FeⅠ356.54nm和FeⅠ358.12 nm为分析线,在减压氩气下,测量了镁基体、铝基体、硅基体和低碳钢标样6-0中的激光微等离子体的电子温度及其空间分布,给出了相同基体中微等子体电子温度的空间变化趋势和不同基体中相同空间位置处的电子温度的差异并进行了分析.利用测量的结果,以CuⅠ324.75 nm和ZnⅠ334.50 nm为分析线,从电子温度角度探索了两分析谱线相对强度的基体效应,给出了合理的解释.
关键词:
激光微等离子体
电子温度
减压氩气
基体 相似文献
997.
利用密度泛函理论(DFT)对碳原子在镍(111)表面吸附结构进行了计算,得到了吸附能以及态密度 (density of state, DOS)分布,分析了吸附在镍(111)面的碳原子和金刚石(111)面的碳原子的分波态密度(PDOS),结果表明吸附在镍表面的碳原子具有与金刚石表面碳原子相类似的电子结构特点,即两者都存在孤对的和成键的sp3杂化电子,进而发现吸附在镍表面的碳原子极易与金刚石表面相互作用形成稳定的类金刚石几何结构.
关键词:
密度泛函理论
化学吸附
电子结构
金刚石生长 相似文献
998.
有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定,但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同,建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算.
关键词:
有机半导体
界面
载流子传输 相似文献
999.
1000.