流动注射化学发光法测定甲磺酸双氢麦角毒碱

磺酸双氢麦角毒碱(Co-dergocrine mesvlate,Hydergine)又名喜得镇、舒脑宁,我国将其列为国家基本药物.目前,测定甲磺酸双氢麦角毒碱的分析方法,主要有荧光分光光度法、可见紫外分光光度法、免疫分析法,但未见文献报道过化学发光法测定甲磺酸双氢麦角毒碱的研究.作者发现,在碱性条件下,过氧化氢直接氧化甲磺酸双氢麦角毒碱不会产生化学发光,但当高碘酸钾和甲磺酸双氢麦角毒碱混合反应后,再加过氧化氢氧化会产生较强的化学发光,且发光强度与甲磺酸双氢麦角毒碱的浓度在一定范围内有良好的线性关系,据此建立了流动注射化学发光测定甲磺酸双氢麦角毒碱的新体系.     

双瓶输液中的数理问题

医学上常用吊瓶式输液器给病人输液 ,而且往往是双瓶串起来进行 .在输液的过程中 ,涉及到许多中学数学和物理的知识 ,下面是笔者在研究性学习中 ,讨论的一个数理问题 .图 1　双瓶输液图例 1　如果我们将Ａ瓶内装入普通盐水 ,Ｂ瓶内装入药液 ,在两瓶如图 1连接情况下输液 ,那么 ,药液先从Ｂ瓶下面连接的软管中流入Ａ瓶中 ,经混合后 ,液体再从Ａ瓶下面的针管中流出 ,结果是Ｂ瓶内液体先流完 .试问 :当Ｂ瓶内液体流完时 ,从Ａ瓶下面流出的液体浓度为多少 ?解析　为了使问题简化 ,我们假设Ａ瓶内的液体是没有溶质的液体 ,Ｂ瓶内的液体全部是溶质…     

Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y／GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers

Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features.     

硬盘磁头-碟界面润滑剂失效机理及添加剂X-1P的性能研究

采用热重分析 (TGA)、傅立叶红外光分析 (FTIR)和磁头起飞降落 (CSS)等试验方法 ,研究了硬盘磁头 碟界面润滑层PFPE的失效机理以及添加剂X 1P在磁头 碟界面润滑剂中的作用 .研究结果表明 ,高温条件下磁头材料Al2 O3 会诱导磁头 碟界面润滑剂PFPE发生歧化降解 ,造成磁头 碟界面润滑层失效 ;添加剂X 1P因其特殊的分子结构和化学性能 ,可作为一种有效稳定剂添加到磁头 碟润滑剂PFPE中 ,减弱磁头材料Al2 O3 作为催化反应中心的催化反应活性 ,减缓磁头 碟界面润滑剂PFPE的高温歧化降解 ,改善磁头 碟界面的CSS性能     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

在等离子体增强化学气相淀积系统中，采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上，使用KrF准分子脉冲激光为辐照源，对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照，使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明，经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成，晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光（PL）特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词： 脉冲激光 多层膜 限制结晶     

光纤光栅选频掺Yb3+双包层光纤激光器

利用相位掩模法 ,在D形内包层掺Yb3 双包层光纤一端直接写制出Bragg光栅 ,用作双包层光纤激光器的输出腔镜 .试验得到了线宽为 0 196nm ,波长为 10 5 8 2nm ,最高输出功率为 5 70mW的稳定激光输出 ,解决了激光器中模式竞争造成的输出不稳定现象 .从速率方程出发 ,对激光器的输出功率与抽运功率、光栅反射率的关系以及最佳光纤长度进行了理论分析 ,结果与实验符合很好     

利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压

 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器（HEMG）驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关（EEOS）产生脉冲高电压实验中，获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。     

硕果繁花荣九秩 仁风德范仰高贤——祝贺吴浩青先生九秩华诞暨执教69周年讲誌庆

著名电化学家、中国科学院资深院士吴浩青教授今年迎来他的九秩华诞．在半个多世纪来，吴老以他广博的学识和勤奋的精神为我国电化学事业作出了突出的贡献．