70 GHz二次谐波倍频回旋速调管研究

 对70 GHz二次谐波倍频回旋速调管高频结构和电子与波互作用进行了研究。研究了TE02模腔体绕射品质因数及模式转化,解决了二次谐波倍频回旋速调管漂移段不能截止70 GHz的TE01模而引起的腔体间高频串扰的问题。分析了注电流、输入功率、电子横纵速度比和电子注引导中心半径等参数对输出功率、增益和效率的影响。针对二次谐波回旋速调管放大器工作频带窄、效率低,进行了高频结构优化设计,显著地展宽了工作频带,提高了互作用效率。在理论分析和高频计算的基础上,建立了注-波互作用PIC（粒子模拟）模型,进行了粒子模拟计算和优化,得到了70 GHz 的二次谐波倍频四腔回旋速调管放大器设计方案。粒子模拟结果表明：在工作电压70 kV,注电流13 A,电子注横向速度与纵向速度比为1.5时,中心频率69.81 GHz输出功率256 kW,带宽160 MHz,电子效率28%,饱和增益大于44 dB。     

自组生长的硅纳米管的稳定性研究

文章作者的研究小组在世界上首次合成自组生长的硅纳米管（SiNTs）后,对它的稳定性研究又获得进展.采用5wt%的HF酸对自组生长的硅纳米管的稳定性进行了研究,研究表明HF酸可以去除硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管,说明所得到的硅纳米管是一种稳定结构,因而使其应用研究开发成为可能.研究表明,硅纳米管的稳定性与其生长形成过程密切相关。     

半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

超声作用加速骨折愈合

许多研究表明,低强度的超声辐照对细胞和组织有深远影响,特别在动物和人体骨折的愈合方面。这里报告的是,特定的超声加速了兔子腓骨骨折、人体的科利斯骨折和腔骨骨折的愈合。 试验选用的是175只成熟的雌性新西兰白兔(3.5—5.0kg),用无损的脉冲超声辐照锯开的腓骨。脉冲超声的载频为1.5MHz,它在软组织中衰减较小。为避免引起声空化和使组织发热,对超声幅值和平均功率加以限制。脉冲宽度取200μs、重复作用频率1kHz、输入声强(SATA)25±5mW/cm~2。为造成双侧“C”形腓骨骨折,采用了1mm的季格利(Gigli)锯,以确保骨骼横向接合并稳定愈合线。从切骨手术     

新体制引信干扰机理分析

为应对新体制无线电引信带来的威胁,从引信对抗角度以超宽带无线电引信为研究对象,研究干扰作用下其失效机理。揭示了超宽带无线电引信敏感干扰波形响应机理,理论推导了周期调制干扰信号作用下引信响应特性,仿真计算了在射频噪声、正弦波调幅、正弦波调频以及扫频正弦波调幅干扰信号作用下超宽带引信接收机相关器输出响应特性。以干信比增益为表征参量,通过理论计算、仿真及试验验证得出结论：周期类调制干扰中调幅类干扰对超宽带引信干扰效果最好。     

LaAlO_3/SrTiO_3界面增强光伏效应

探索LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO_3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时, LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.     

GaN基蓝绿光LED电应力老化分析

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流 (20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同 (18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。     

带作用的群系的临界结构

在本文中，我们讨论了带作用群的群系的临界结构，给出了处理允许某些作用群的群的问题的一般方法，作为应用，我们特别给出了关于幂零群及ｐ－幂零群的一些结果。     

一簇Lorenz映射的混沌行为与统计稳定性

该文研究一簇Ｌｏｒｅｎｚ映射犛犪：［０,１］→［０,１］（０＜犪＜１）犛犪（狓）＝狓＋犪　狓∈ ［０,１－犪）｛（狓＋犪－１）／犪　狓∈ ［１－犪,１］．从拓扑的角度考虑了犛犪的混沌行为,证明了：犛犪有稠密轨道;犛犪的周期的集合犘犘（犛犪）＝｛１,犿＋１,犿＋２,…｝,其中犿为使犪犿＜１－犪成立的最小正整数;犛犪的拓扑熵犺（犛犪）＞０;几乎所有（关于Ｌｅｂｅｓｇｕｅ测度）的点狓的Ｌｙａｐｕｎｏｖ指数λ（犛犪,狓）＝λ犪＞０．从统计的角度讨论了犛犪的稳定性．我们用下界函数方法证明了犛犪是统计稳定的,并且狌犵犪（犃）＝∫犃犵犪（狓）ｄ狓（犃∈犅）为犛犪的唯一绝对连续（关于Ｌｅｂｅｓｇｕｅ测度）不变概率测度．同时,不变密度犵犪在参数扰动和随机作用的随机扰动下是稳定的．