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31.
32.
3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH<4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0~pH<7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数. 相似文献
33.
刺五加味中黄酮类化合物的分析 总被引:9,自引:0,他引:9
利用电喷雾多级串联质谱(ESI-MS^n)技术,分析了刺五加叶中黄酮类化合物,并根据黄酮类化合物的特征显色反应,采用紫外-可见分光光度法,对刺五加叶中总黄酮的含量进行了测定。分析结果表明:刺五加叶含有槲皮素及其相关的黄酮甙类化合物,其含量达37.25%。 相似文献
34.
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。 相似文献
35.
通过流动相中电解质浓度对毛细管电色谱柱效能的流动相平均线速度的影响,研究了CEC中双电层叠加现象。提出选择合适电解质组成的浓度及在制备色谱柱过程中避免细小和破碎的固定相颗粒进入柱中,以有效地减小双电层叠加作用。 相似文献
36.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既 相似文献
37.
液晶电视由于其优异的显示性能将会越来越受到青睐。本文简要综述了近年来电视用液晶材料的研究进展,归纳总结了这些液晶材料的合成方法及其热性能、介电各向异性、双折射率、粘度等特性。 相似文献
38.
用循环伏安法研究NaCl-KCl-YCl3熔体中Y^3+在钨电极的电还原。Y^3+一步可逆电沉积为钇。用循环伏安法、卷积伏安法、恒电位电解断的电位-时间曲线及X射线衍射法研究了Y^3+在铁电极上的还原过程。在金属钇析出前,电极形成多种钇与铁的金属间化合物。用电位阶跃的电流-时间曲线测定了钇在Y6Fe23相中的扩散系数及扩散活化能,结果表明钇在其合金相中的扩散相当缓慢,该步骤对电极过程可以起控制作用 相似文献
39.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究 总被引:3,自引:1,他引:3
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小 相似文献
40.
米非司酮的吸附伏安特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在PH7.0Britton-Robinson缓冲溶液中,米非司酮(Mifepristone,RU486)在汞电极上有2个不可逆的线性扫描还原峰,峰电位分别为-1.23V和-1.68V。本文探讨了第一峰的电化学行为。 相似文献