用生物质谱方法研究抗肿瘤双β-咔啉与DNA及核苷酸的非共价结合

利用电喷雾傅里叶变换离子回旋共振质谱研究一系列双β-咔啉化合物与DNA的非共价结合. 发现化合物1—5与5种不同序列的12-mer双链DNA均有明显的非共价结合, 并且有两个β-咔啉环之间连接碳链的长度对此类化合物与双链DNA的非共价结合活性有明显影响. 同时对此类化合物对于DNA非共价结合的序列选择性进行了讨论. 另外还利用电喷雾离子阱质谱研究了双β-咔啉化合物2和4与4种单核苷酸的非共价结合.     

电活性聚芳醚酮类环状分子的合成和性质

将电活性苯胺四聚体链段引入聚芳醚酮类刚性大环分子中, 得到了含电活性苯胺链段的聚芳醚酮类大环状分子低聚物C-1, 并通过循环伏安和紫外滴定法证明了这种新型环状分子具有电活性.     

甲基羟基铀酰离子与水的复分解反应

以醋酸铀酰为主要试剂, 在负离子检测模式下, 采用电喷雾串联质谱法制备了甲基羟基铀酰负离子. 实验发现, 气相中的甲基羟基铀酰离子与水分子发生分子离子复分解反应, 并用串联质谱法对反应产生的离子性产物进行了结构确认, 提出了反应的可能机理. 热力学计算结果表明, 该反应的ΔGReaction为-473.0 kJ/mol, ΔHReaction为-236.5 kJ/mol, ΔSSystem为0.792 kJ·mol-1·K-1. 该反应的速率常数为2.26 s-1.     

稀土机配合物电致发光研究进展

稀土配合物发射带窄,发射光谱具有类原予光谱性质,色纯度高(半宽峰<10 nm),非常适合于全彩色显示.另外,稀土配合物发光效率高,理论上内量子效率可达100%.因此,稀土配合物是全色平板显示器件中理想的发光材料之一,研究稀土配合物电致发光性质具有重要的实际意义和理论意义.以稀土镧系离子配合物作为发光中心的电致发光器件的研究主要集中于发光效率比较高的Eu3+,Tb3+以及近红外的Nd3+,Yb3+和Er3+离子.分类综述了近年稀土配合物电致发光研究的成果及其进展.总结了不同类型的铕配合物、铽配合物的电致发光特性,证明配体对于稀土离子的敏化作用非常重要;总结了近红外的镱、钕、铒配合物在光放大、激光技术、生物医学等方面的潜在应用价值.     

基于铱纳米棒的电致化学发光生物传感器用于多巴胺检测

铱(Ⅲ)配合物差的水溶性限制了其在电致化学发光(ECL)领域的应用.该文用聚(苯乙烯-马来酸酐)(PSMA)羧基功能化三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)3)合成水溶性铱纳米棒(IrNDs).在共反应试剂三丙胺(TPrA)存在下,IrNDs表现出优良的ECL性能.借助多巴胺(DA)对Ir NDs-TPrA体系EC...     

离子交换聚合物固定三联吡啶钌电玫化学发光传感器的研究进展

将可电化学再生的电致化学发光试剂-三联吡啶钌固定于电极表面制备得到可再生的电致化学发光(ECL)传感器.综述了近年来使用离子交换聚合物膜固定三联吡啶钌ECL传感器的研究进展,简要介绍了不同离子交换聚合物的固定方法及其相关的应用情况.同时展望了该领域未来的发展方向和前景.     

真空中金属丝电爆炸数值模拟研究

利用金属丝电爆炸物理数学模型对电爆炸物理过程开展了数值模拟,研究了不同直径铝丝电爆炸特性,进一步分析了金属丝内沉积能量、电压击穿时刻、电压峰值随金属丝直径的变化规律,并与相关实验数据作了对比。     

一维六方准晶压电材料反平面Ⅲ型裂纹电塑性分析

论文基于一维六方准晶压电材料反平面问题的基本方程,对Ⅲ型裂纹的电塑性区进行分析.采用条带模型并假设在电塑性区的切应力保持为常数,得到了电塑性区大小的表达式.这种假设方式消除了电场和应力在裂纹尖端的奇异性,这与实际情况相符合,也为一维六方准晶压电材料的断裂分析提供了理论基础.     

离子导体驱动的介电弹性体软机器研究进展

基于介电弹性体的软机器在柔性机器人、能量收集、柔性电子等领域有着广泛的应用.传统的介电弹性器件由不透明的流体碳膏电极或其他硬材料制作的电子导体来驱动.可拉伸透明离子导体作为电极驱动介电弹性体时,两种软材料互相结合,为软机器提供了一种独特的实现方式.论文综述了离子导体驱动的介电弹性体软机器的近期研究进展,展望了未来的研究方向和存在的问题.     

双路大电流源模块水中放电实验研究

高压电脉冲压裂技术是基于液电效应,通过水中脉冲放电产生强大的冲击波使岩石产生裂缝,近年来成为了岩石压裂领域的热点研究对象。搭建了两路电流源模块应用于水中放电,采用铜材料的针针电极,电极间距1 mm;研究了在不同放电电压下,单路和两路电流源模块电极间的电压、电流波形。实验结果表明,空载时在同一放电电压下,双路模块产生更大的放电电流,从而在放电时获得更高的瞬时功率;而在水中针针放电时,单路和双路模块水间隙的预击穿时间与放电电压之间具有很大的随机性。单路模块预击穿时间的标准差最小为0.285 ms,最大为1.481 ms;而双路模块最小为0.369 ms,最大为0.703 ms。并且随着放电电压的增加,预击穿时间减小,双路模块的预击穿平均时间从放电电压为1300 V时的2.686 ms降到1800 V时的1.036 ms。