美国最热的实验室

位于美国新墨西哥洲的实验室内最近创造出了比任何已知星球内部温度都要高的温度，这个温度约为20-30亿开。在Sandia国家实验室的Z—Pinch（z箍缩器）上得到了这个温度记录。当时大量电荷贮存在一个称为Marx发生器的装置内，当许多并联电容器被充电后，就迅速地转换为一组八百万伏电压的配置。这个过程被摄像机抓拍成像。如此巨大的放电过程形成了一个二千万安培的大电流，在电流通过一串柱状电线时发生了向心聚爆．这些聚爆物质就达到了我们前面所述的高温，同时还辐射大量的X射线能量。     

FV-MD耦合算法在微通道流动研究中的应用

本文采用有限容积(FV)-分子动力学(MD)耦合算法对微通道内的液体流动进行了模拟研究.分析了通道宽度以及流固作用势强度对流体流动形式和壁面滑移速度的影响.结果显示:通道宽度减小与流固作用势的减弱都会使速度分布与宏观尺度下的分析解出现更大偏离,滑移速度与滑移长度明显增加.对于流体为液体氩,壁面为金属铂的工况条件,当通道宽度超过约0.6μm时,滑移速度不足最大流速的0.5%,滑移长度不足通道宽度的0.2%.     

Improved Z^1/3 Law of Nuclear Charge Radius

An improved Z^1/3 law of nuclear charge radius is presented. The comparison between the calculated and experimental nuclear charge radii now available shows that this new formula is better than the other conventional formulae.     

温度和分子间作用对切向动量协调系数的耦合效应

切向动量协调系数(TMAC)是描述气体滑移流动的重要边界条件。运用非平衡分子动力学方法,构建了能够反映流体粒子与壁面粒子相互作用关系的物理模型。结果显示:当壁面存在吸附层或壁面无气体吸附层时,同一势能强度下TMAC值都随着温度的升高而降低;而在吸附层能够解吸附的温度,TMAC值发生突跃。在本文的模拟条件下,气体粒子离开壁面吸附的能力和壁面粒子及吸附层粒子热运动产生的粗糙度决定了TMAC值的分布。     

超短脉冲激光产生等离子体通道寿命研究

利用强飞秒激光在大气中产生等离子体通道内带电粒子的动力学模型,综合考虑二体吸附、三体吸附、离解和复合等因素,分析后续激光退吸附作用对等离子体通道寿命的影响,给出有效延长通道寿命的后续激光控制参量。计算表明,选择不同的激光注入形式和注入时间,对通道寿命的延长有着不同的效果,适当优化的激光可以延长通道寿命达25 s以上。     

HL-2A先进二维硬X射线成像CCD系统设计

为HL-2A装置设计了一种二维硬X射线成像CCD系统,用它能直接测量硬X射线辐射强度的二维时空分布I(z,y,t),并能得到电子速率分布fe(v,r,t)。为获得二级加热和无感电流驱动如ECH／ECCD,LHH／LHCD,ICRH／ICCD,NBIH／NBICD的效果、波可近性、共振层位置、能量沉积范围等方面的实验研究提供重要诊断手段;也可用于内破裂、大破裂、MHD,特别是q=2附近高模的MHD行为、热电子和超热电子的输运、被捕获的高能粒子图像以及与模式波(如m=1,n=1)共振引起的鱼骨模不稳定性、辅助加料引起和诱发逃逸电子雪崩现象的实验观察与研究。     

纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性

在Y2O3：Eu^3 体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3 的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2O3：Eu^3 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论。     

横向交、直流电流对蓝青铜K0.3 MoO3的 I-V特性的调制效应

通过I-V特性测量,研究了横向交、直流电流对蓝青铜K0.3MoO3中电荷密度波(CDW)动力学行为的影响.实验结果表明,无论是直流还是交流,随着横向调制电流的增大,CDW滑移的阈值电场均会相应地减小;但横向交流电流的调制效应较小,可能更接近本征的效应.考察了横向交流电流的调制效应与其频率的依赖关系.     

Contact effect in the dynamic electron transport of a two-probe mesoscopic conductor

Based on the self-consistent electron dynamic transport theory for multi-probe mesoscopic systems, we calculate the distribution of internal potential, charge density, and ac conductance of a two-probe mesoscopic conductor with wide trapezoid reservoirs, and study the contact effect. The results show that including the contact effect can make a significant difference to the frequency-dependent electron transport properties. In the nonzero frequency case, the internal potential and the charge density are complex with extremely small imaginary parts. Importantly, the imaginary part of the charge density gives rise to a real ac conductance (admittance), which corresponds to the charge-relaxation resistance.