Teleportation of Multi-qudit Entangled States

We propose a method to realize the teleportation of an unknown entangled state that consists of many qudits through a partially entangled-qudit quantum channel with the help of 2 log2 d-bit classical communication. The operations used in the teleportation process include a generalized Bell-state measurement and a series of singlequdit π-measurements performed by Alice, a series of generalized qudit-Pauli gates and two-level unitary gates, as well as a qubit measurement performed by Bob. For a maximally entangled quantum channel, the successful probability of the teleportation becomes unit.     

多发弹丸发射系统阀门电源及可编程发射控制器的研制

多发弹丸发射系统是我院20世纪90年代从俄罗斯引进的设备，用于发射弹丸的快阀门电源属于非标产品，其备件缺乏，维修困难。为保证HL-2A装置弹丸注入实验顺利进行，根据设计要求，研制了这套弹丸快阀电源和可编程发射控制器。它们之间的连接如图1所示。     

Photoeletricity Capability of Imager Detector with Coated Blends of Polymer and Perylene or Coronene

Perylene and coronene have been synthesized with good yield via the Dields-Alder reaction.They have good photoluminescence properties and could transfer ultraviolet light to visible-loght.To find an easy way of making a better ultraviolet charge coupled device,we blended perylene or coronene with polymers.Then,these blends were analysed by the photoluminescence spectrum.The results indicate that the blends have larger fluorescence intensity than pure perylene or coronene.Through spreading these blends on image detectors,organic image detectors with good ultraviolet photoelectricity capability were prepared.     

高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。     

取样平均法提高CCD多道探讨器信噪比

应用取样平均法有效地提高了ＣＣＤ光学多道探测器信噪比，当采样次数为ｍ时，信噪比提高√ｍ倍，应用于实验得到了高信噪比的各种光谱谱图。     

普物教学中如何讲述电磁场变换

从洛伦兹力公式和运动电荷磁场出发，导出了两惯性系间电磁场的变换关系．     

直接模拟蒙特卡罗方法在微通道流动模拟中的应用

直接模拟蒙特卡罗方法是一种求解稀薄气体流动换热新的数值方法。本文采用该方法对Kn数跨越速度滑移区和过渡区的三个微通道内的流动进行了数值模拟,给出了通道内速度、压力及局部阻力系数的变化曲线.为了表明通道横纵比对流动的影响,还对每个算例在不同的横纵比下进行了比较。结果表明,微通道内的流动特性不仅与Kn数有关,而且与通道的横纵比也有很大的关系。     

200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.     

一维介观结链中电荷孤子的控制

研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词： 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿