第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）成功召开

11月2日上午,第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）在武汉科技会展中心隆重举行。开幕式上,国际光学工程学会主席Katarina Svanberg亲临致辞,武汉市东湖新技术开发区张光清主任介绍了武汉光谷产业发展情况,科技部国家遥感中心景贵飞副主任、武汉市政协吴超主席先后致辞祝贺会议的召开;会议程序委员会主席、...     

第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）征文通知

第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）将于2011年11月2～5日在武汉科技会展中心举行,本次会议将采取开放式的模式,如果您从业于光电领域,并对此次会议感兴趣,您可以发起和组织一项活动来参与会议。会议发起人应邀请5～6名来自不同国家或地区的资深专家组成程序委员会,来负责会议的组织和安排。该委员会在议题设立、议...     

类铜Au50+离子电子碰撞激发特性的研究

利用全相对论扭曲波（RDW）方法,系统计算了类铜Au50+离子的外壳层电子4s激发到4l 、5l （ l= s、p、d、f,除去4s-4s ）和内壳层电子3l （l = s、p、d）激发到4l 、5l （l = s、p、d、f）的碰撞激发截面,研究了在不同入射电子能量下截面的变化规律,给出了3d-4f 和3d-5f 精细结构能级的碰撞激发截面。部分计算结果与其它理论及最新实验结果进行了比较,取得了很好的一致性。     

Half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的磁性及电子结构的第一性原理研究

用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的晶体结构、磁性及电子结构。计算结果表明,磁性原子Fe和Mn在两种合金的总磁矩中贡献最大,在NiFeSb总磁矩中,Ni原子贡献比例接近在NiMnSb中的2倍,而Sb原子的贡献比例是在NiMnSb中的1/5;两种合金的自旋向上能带都具有明显的金属特征,而自旋向下能带有明显的差别;两种合金费米能级以下的总态密度(DOS)主要由Ni-3d 和Fe-3d（Mn-3d）态决定,费米能级以上主要由Fe-3d（Mn-3d）自旋向下部分决定。     

元素替代对Mg2NiH4释氢性能影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）的平面波赝势（PWP）方法,研究了元素替代对Mg2NiH4释氢性能的影响. 计算给出了晶胞参数、电子态密度、原子间的键序和生成焓,分析了氢化物的结构稳定性和原子间成键作用之间的关系. 计算结果表明,生成焓的计算值随替代元素M(Ti,V,Cr)的变化趋势和实验测定的结果一致,且Ti的替代较好地降低了Mg2NiH4的结构稳定性,提高了Mg2NiH4的释氢性能. 分析电子结构可得,Ni(h)–H和M–H间的相互作用是影响Mg2NiH4结构稳定性的主要因素,替代元素正是通过改变M–H的相互作用来提高Mg2NiH4的释氢性能.     

(AlB2)m (m=1~6) 团簇的几何结构和电子性质

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法得到了(AlB2)m团簇的平衡几何结构. 计算并分析了基态掺杂团簇的平均结合能、电离势、能隙和前线分子轨道. 结果表明：掺杂团簇(AlB2)m (m=1~6)整体上具有较高化学活性,(AlB2)5团簇具有金属特征. Al原子总是向团簇外围扩散并且以配位数较少的方式与主团簇结合,团簇表现出以AlB2分子为基元生长的迹象. B-Al键长大于B-B键长. 电荷总是从Al原子转移到B原子. (AlB2)m团簇中B原子的2p轨道在成键中起主要作用,并使(AlB2)m团簇趋于形成离域π键.     

电子关联对聚乙炔中激子类型的影响

在SSH哈密顿基础上引进电子关联,对反式聚乙炔链中光致激子的产生和演化过程实施分子动力学模拟。弱关联强度U取值0～1.250 eV,V =U/2取值0～0.625 eV .计算结果表明,关联强度的大小影响链中元激发类型,U＜0.555eV时产生的元激发为孤子-反孤子对,U ＞0.555eV 时产生的元激发为正负荷电极化子对。为进一步讨论该类型一维系统中不同类型激子的产生、输运、衰减等动态过程,关联强度U的选择提供参考。     

C20分子的一个电子输运模型研究

本文构建了Li链为电极的富勒烯C20分子的电子输运模型, 使用非平衡格林函数方法(Non-equilibrium Green's function, NEGF)对构建的Li电极和C20分子构成的分子器件进行了电子输运性质的计算. 计算得出了电子透射谱和电流电压曲线, 分析了产生这个分子器件电子输运性质的原因. 研究计算结果发现,大部分能量的电子是不会穿过器件的, 即使考虑不同偏压,能穿过器件的电子都集中在几个固定的能量上, 且在这几个固定能量上透过率比较高. 计算得出的伏安曲线说明在偏压为1.925V时电流达到最大, 只有在这个偏压周围才有相对明显的电流.     

微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术。其中应力测量技术的空间分辨率可优于20nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,延续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布。通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性。