密立根对电子电荷的测定和对光电效应的实验研究

回顾了密立根的生平和对科学发展的主要贡献,介绍了他在电子电荷的测定中不断改进装置,提高精度和在光电效应的实验研究中消除误差,最终证明了爱因斯坦方程的努力,以及他重视理论,尊重实验和严格细致的工作作风。     

用扫描隧道显微术实现室温下的单电子隧穿效应

单电子隧穿效应通常只能在低温下实现。最近，采用扫描隧道显微术在纳米尺度的范围内实现了室温单电子隧穿，清晰地观察到了库仑阻塞现象和库仑阶梯特性。这是单电子隧穿研究中的重大进展，将在简要叙术单电子隧穿物理过程的基础上予以介绍。     

Electron Acceleration in Wakefield and Supra-Bubble Regimes by Ultraintense Laser with Asymmetric Pulse

Electron acceleration in plasma driven by circularpolarized ultraintense laser with asymmetric pulse are investigatedanalytically and numerically in terms of oscillation-center Hamiltonian formalism. Studies include wakefield acceleration, which dominates in blow-out or bubble regime and snow-plow acceleration which dominates in supra-bubble regime. By a comparison with each other it is found that snow-plow acceleration has lower acceleration capability. In wakefield acceleration, there exists an obvious optimum pulse asymmetry or/and pulse lengths that leads to the high net energy gain while in snow-plow acceleration it is insensitive to the pulse lengths. Power and linear scaling laws for wakefield and snow-plow acceleration respetively are observed from the net energy gain depending on laser field amplitude. Moreover, there exists also an upper and lower limit on plasma density for an effective acceleration in both of regimes.     

驻波腔内电子运动过程的解析分析

考虑了加速电场的高次谐波的影响，解析地分析了电子在驻波腔内的运动过程，给出了电场分布，与数值模拟计算的电场分布比较吻合。讨论了高次谐波对电子束横向运动的影响，利用此解析解可选择高亮度注入器腔的最优电场分布。并得出射频驻波腔内电子束在β趋于１时射频场效应趋于零的结论。     

用LMTO方法对清洁Nb(100)面电子结构的研究

用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。 关键词：     

反向导引磁场自由电子激光中平衡态电子相轨道

考虑电子束自身场情况下，给出了反向导引磁场自由电子激光中平衡态电子运动的一种正则描述。证明了在可积极限下，不动点附近相轨道的稳定性；并采用美国麻省理工学院的反向导引场自由电子激光实验参数，计算了不同束流强度下的Ｐｏｉｎｃａｒé截面。结果表明，即使自身场相当强（束流强度达到６０００Ａ），平衡态电子的相轨道仍保持其规则性，相空间没有出现混沌，这说明在自由电子激光器中，利用反向导引磁场可以获得比传统的采用正向导引磁场更好的电子束质量，从而改善器件的输出性能。 关键词：     

碳纳米管场发射特性的研究

自1995年首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力的电子场发射极,特别是近几年碳纳米管合成技术的发展更促进了碳纳米管作为场发射电子源的研究。本论文对碳纳米管作为场发射电子源的研究进行了系统的总结,简洁地介绍了碳纳米管电子场发射研究的方法、理论、主要发现及意义。     

Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展

本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。