用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

建筑构件智能识别方法研究

基于电子版的建筑图纸识别是工程图纸识别领域的一个重要分支.与纸质图纸的扫描识别研究相比较,对电子版图纸识别的研究工作还不够深入.详细分析了经由AutoCAD绘制的电子版建筑图纸的绘制特点,提出了一套针对主体构件的智能识别方法,描述了各类构件的识别过程,最后讨论了智能识别方法的特点和下一步的工作.     

NGD全息图实时效应的增强及抗湿机理研究

本文报道一种新型全息记录材料:无明胶重铬酸盐全息软片(NGD)。文中研究了电子供体对其实时效应的影响。结果表明,电子供体的引入可使NGD全息图的±1级实时衍射效率高达60%。同时,从微观化学结构出发分析了全息图的抗湿机理,并提出了光化学反应产物微观结构的对称性是全息图具有良好抗湿能力的根本原因。     

关于中心原子杂化轨道数的计算方法

对于HmABn型的共价分子（或离子），本文提出用公式G=V／2-3n计算中心原子A的杂化轨道数，并由此确定对应的杂化轨道类型。该方法简单、直接、有效。     

C02+OH2/C03+OH2电子转移反应性的理论研究

提出了研究Co2+OH2/Co3+OH2反应体系电子转移反应性的接触距离依赖关系的分析方案和ab initio计算的应用方法,并讨论验证了此方案及其相应模型的可行性,分析了有关动力学量的接触距离依赖关系.详细的结果表明,用精确PES法得出的活化能与用非谐振子势得出的活化能吻合较好,它们明显优于谐势模型.对分布函数随接触距离从1.20～0.35 nm改变而从10-2变到10-5.偶合矩阵元随接触距离的增加呈指数性降低.有效电子偶合要求接触距离＜0.75 nm.在0.50～0.75 nm范围内,相应的电子发射系数值在1.0～10-6之间.电子因子使得定域ET速率也指数性的随接触距离的增加而降低,而对分布函数对总电子转移速率的贡献与电子因子的贡献则相反.球平均ET速率随接触距离的变化呈抛物线变化,并在接触距离为0.5 nm时有最大值.此最大值与总观测ET速率非常接近.对于此偶合体系,气态时ET速率是106 L@mol-1@s-1.进一步来说,实验上难于确定此类水合体系尤其是未饱和中间组分的电子结构和PES,abinitio算法在讨论其ET反应性方面能起到一个有效的辅助作用.     

清华大学物理系在《科学》杂志发文 揭示拓扑诱导的磁性量子相变

清华大学物理系的研究人员与合作者在拓扑绝缘体的研究中取得重要进展,发现了磁性掺杂拓扑绝缘体中由能带拓扑量子相变而导致的磁性量子相变,相关成果发表在2013年3月29日出版的美国《科学》杂志上.文章的共同第一作者为清华大学物理系的博士研究生张金松、常翠祖和汤沛哲.该工作是由清华大学物理系王亚愚、薛其坤、段文晖     

D3d[E3ME3]^2-（E=P,As;M=Ni,Pd,Pt）：含η^3-P3^-和η^3-As3^-配体的最小无机三明治配合物（摘要）

C4H42^-、C5H5^-（Cp^-）及C6H6（Ar）等有机配体可以与过渡金属形成典型的三明治夹心化合物.作为CH的等电子体,P可以取代CH与过渡金属形成混合型三明治配合物,例如：CpNiP3,CpFeP5,[CpMPnMCp]等.2002年,Schleyer等首次成功地合成了以η5-P5-为配体的不含碳的无机三明治配合物[P5TiP5]^2-;2007年,Chen等采用密度泛函方法预测了含P4四元环的[P4MP4]^n-三明治结构.