高纯氧化钆中14种稀土杂质元素的柱色谱分离ICP-AES法测定

用Ｐ５０７萃淋树脂柱色谱法分离高纯氧化钆基体与稀土杂质。用ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定高纯氧化钆中微量稀土杂质。选择了柱色谱分离的合适条件。优化了仪器测定参数。使本方法测定稀土总量下限小于１×１０－５％。可以满足９９．９９９９％高纯氧化钆的测定。此方法回收率在８５％－１１０％之间。相对标准偏差小于１８％。     

添加助剂的钙钛矿型氧化物NdMO_3上的甲烷氧化偶联——Ⅱ.15% Li_2O/NdMO_3(M=Cr、Mn、Fe、Co、Ni)上的OCM反应研究

在添加了15%Li_2O的NdMO_3(M=Cr、Mn、Fe、Co、Ni)上进行了甲烷氧化偶联(OCM)反应研究.通过改变反应气中CH_4:O_2浓度比,在氧化态和“脱氧态”催化剂上的CH_4脉冲反应,探讨了表面吸附氧和晶格氧在OCM反应中的作用以及NdMO_3中不同金属离子(M)对OCM反应活性的影响等.     

手性噻唑烷-铑(I)配合物催化的苯乙酮不对称硅氢化反应

由L-半胱氨酸甲酯与α-吡啶甲醛缩合制备了2-(α-吡啶基)-4-羧甲基-1, 3-噻唑烷手性配体。用该手性配体与[Rh(COD)]2反应原位生成的Rh(I)配合物为催化剂进行了苯乙酮的不对称硅氢化反应。反应的化学产率达91%, 光学产率达82.1%e.e.。考察了各种反应条件对催化剂性能的影响。     

荧光光度法直接测定高纯氧化钕中的痕量镨和铈

使用Ｐ－ＥＬＳ５０荧光光谱仪，在盐酸介质中，用同一激发波长激发，分别测定Ｐｒ（Ⅲ）（ｎｍ）和Ｃｅ（Ⅲ）（３５６ｎｍ）发射峰强度。     

Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响

SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂