常曲率空间中单形的中面公式及其应用

本文给出了n维常曲率空间中单形的中面面积公式，利用它我们还得到了一类几何不等式．     

同位旋非对称核物质性质与扩展的BHF方法(Ⅲ)HVH定理与费米能量

在扩展的同位旋相关的Brueckner-Hartree-Fock理论框架内,在整个同位旋自由度范围内研究了质量算子的空穴线展开中不同等级近似下非对称核物质中Hugenholtz-Van Hove定理的满足程度,并计算了中子和质子的费米能量.结果表明为了使Hugenholtz-Van Hove定理达到令人满意的满足程度,需要同时考虑质量算子中的重排贡献和重正修正,从而指出了基态关联对于非对称核物质中单粒子性质的重要性.     

Ni（Ⅱ）—MOBTAMB—TritonX—100体系析相光度法测定痕量镍

研究了Triton X-100在浊点条件下,对Ni(Ⅱ)-2-[2′-(6′-甲氧基-苯并噻唑)偶氮]-5-二甲氨基苯甲酸(MOBTAMB)配合物的析相条件。在pH 8.6～9.5的氨-氧化铵缓冲体系中,90℃水浴加热1.5h,析相完全。配合物最大吸收峰位于658nm处,表观摩尔吸光系数为5.5×10~5。镍含量在0～3μg/30ml范围内符合比耳定律。所拟方法用于天然水中的痕量镍测定,结果满意。     

液氮下工作的薄膜biPbSrCaCuO dc SQUID

利用电阻加热、单源混合分层蒸镀方法制备的 Bi PbSrCaCuO 超导薄膜,研制成功带双桥结的单圆孔的直流超导量子干涉器(dc SQUID).这些 dc SQUID 在78K 呈现出完全的周期性磁通响应的电压特性.在无屏蔽条件下,0—1Hz 频率范围内,78K 的磁通噪声的典型值为1.7×10~(-3)φ_0/(Hz)~(1/2),相应的能量分辨率为3.6×10~(-26)J/Hz.同时,我们发现了无偏置电流下的可以锁定的磁通响应的电压二次谐波现象,此现象尚未理解清楚,但它与 dc SQUID的 I—V 特性形状有密切关系,并对其进行了探讨.     

配合物LaL3.H2O的合成及表征

本文以３－甲基苯甲酸为配体，合成了与三价稀土镧离子的固体配合物ＬａＬ３．Ｈ２Ｏ，并对该配合物进行了元素分析，红外光谱，ＵＶ光谱，ＴＧ－ＤＴＡ，ＨＮＭＲ等的测试与表征。该配合物属螯合双齿配位。     

涉及两个单形的一类不等式

本文中,我们建立了下列主要结果: 定理 设∑_A和∑_B为n维Euclid空间E~n(n>2)中的两个单形,它们的棱长分别是a_i,b_i(i=1,2,…,c_(n 1)~2),它们的体积分别是V_1和V_2,则当θ∈(0,1]时有     

球面空间中的一类几何不等式

本文首先给出n维球面空间的正弦定理,其次得到了一类几何不等式及其应用(即文中的推论)。     

PPG侧链修饰聚酰亚胺的制备与表征

以可溶性聚酰亚胺为反应底物，经氯甲基化反应制得氯甲基化聚酰亚胺，再以氯甲基为活性反应中心，在聚酰亚胺侧链上接枝聚丙二醇单丁醚（PPG），从而得到PPG侧链修饰聚酰亚胺．所制备的产物结构经红外光谱和核磁共振氢谱得以证实．介电常数及吸附脱附测试结果表明：经过大体积侧链PPG修饰后，聚合物的介电常数明显降低，由3．147降低至2．976；比体积和比表面积增大．同时，所制得的聚合物具有优良的溶解性能，在微电子工业中易于加工应用．     

单电子效应与单电子晶体管

由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞，单电子隧穿和库仑振荡，与此效应有关的现象还有库仑台阶，旋转门效应，旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用