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991.
本文系统研究了半素PI-环本质(单边)理想及最大商环的有关性质,从PI-理论中著名的 Rowen非平凡相交定理出发,证明了半素 PI-环的本质(单边)理想包合一个本质两边理想(定理7,推论8),建立了半素PI-环本质(单边)理想与其中心本质理想的内在联系(定理 9,推论 10),并以此为基础,证明了半素 PI-环的最大商环是 PI的(定理 12),且半素 PI-环的每一正则元在其最大商环中是可逆的(定理 14). 相似文献
992.
通过对耦合的波动方程和方程解耦,用自模拟方法研究了压电材料中反平面裂纹的自相似扩展问题。研究表明:对反平面问题,介质内的耦合场与裂纹扩展速度有关,在裂纹尖端有r^-1/2阶的奇异性;动态应力强度因子与电位称载荷有关,与静态结论不同;电位移强度因子与机械载 荷无关,与静态结果的表达形式一致。 相似文献
993.
994.
涉及两相正交各向异性体界面干涉问题的研究,多裂纹问题被分解为只含单裂纹的子问题,利用位错理论和裂面应力自由条件,列出一组可数值求解位错密度函数的奇异积分方程,从耐 注得应力强度因子。 相似文献
995.
压电材料中的微裂纹屏蔽问题分析 总被引:2,自引:0,他引:2
分析当主裂纹与一个微裂纹在远场I型力(KI)和远场电位移(Ke)作用下的相互干涉问题,得出了在微裂纹的位置角和方向角周时独立变化时,微裂纹对主裂纹的屏蔽作用的全局使命主裂纹扩展,通过电算还发现Ortiz在各向同性材料和各向异性材料中得出的“微裂纹群对主裂纹最大屏蔽效应产生在微裂纹方向与最大主应力垂直的方向”在压电材料中不再成立,进而提出除Hutchinson指出微裂纹屏蔽效应两个来源(即:材料有效刚度的降低和残余应力的释放)外的另一个来源,微裂纹对主裂砂电场的扰动,在对主微裂纹J积分分析时发现J2积分与J1积分具有同等重要的地位。 相似文献
996.
SH波与界面多圆孔的散射及动应力集中 总被引:14,自引:0,他引:14
研究了平面SH波对相邻多个界面圆孔的散射及其动应力集中,为了求解,首先利用复变函数和多极坐标方法构造了在含有多个半圆形缺口的弹性半空间,水平面上任一点随时间谐和出平面线源载荷作用时失主移,邓Green函数,且采用“契合”模型,推导了SH波对相邻多个界面圆孔散射的定解积分方程组,进而求得圆孔附近的动应力系数,作为算例,讨论了具有两个界面圆孔对SH波的散射及其相互影响,给出了孔附近的动应力分布曲线。 相似文献
997.
998.
999.
1000.