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采用施加压力的方法将聚苯硫醚熔体凝固,凝固后获得的聚苯硫醚样品经过降温和卸压后在常温常压下回收. X射线衍射和差示扫描量热分析表明:约20 ms时间的快速压缩过程可以抑制熔体结晶,制备出非晶态聚苯硫醚块材,样品的表面及中心都是非晶态.非晶态聚苯硫醚的玻璃化转变温度和晶化温度分别为318和362 K.常压下的退火实验表明,非晶态聚苯硫醚在425 K等温结晶的产物为正交相晶型.压致凝固法中熔体的凝固不是靠温度变化,而是靠压力变化,样品表面和内部处在一致的温度下同时受压凝固,避免了热传导对非晶尺寸的影响,因此非常有利于获得结构均匀的大尺寸非晶态材料. 相似文献
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本文研究了Si/Si02、Si/Si—H基底与聚苯乙烯(Ps)之间的界面相互作用对Ps薄膜的玻璃化转变及相关力学性能的影响.结果显示,无论何种基底,Ps薄膜的玻璃化转变温度(L)都随其厚度降低而降低.但相同厚度(〈110nm)下,以Si/Si-H为基底时Ps薄膜的瓦比以Si/Si02为基底的PS薄膜高.Si/Si02表面Ps薄膜疋开始下降的临界厚度为110nm,远高于以Si/Si—H为基底时的40nm.对Ps薄膜的膨胀系数和弹性模量进行研究,也得到相似的临界厚度.另外,与Si/Si02基底相比,在Si/Si-H上的Ps薄膜具有更低的膨胀系数以及较高弹性模量.可能原因是Si/Si-H与Ps具有较强的相互作用,限制了该界面分子的运动能力,导致基底/PS界面效应对薄膜分子运动的影响力增强,造成该薄膜瓦的厚度依赖性下降,并呈现出相对较硬的力学特征. 相似文献
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采用V2O5和硼酸为原材料,草酸为还原剂,在水热条件下,成功制备出硼(B)掺杂VO2(B)纳米棒,经Ar气环境退火后,得到了V1-xBxO2(M)系列样品。样品的结构、形貌和相转变温度分别用X-射线粉末衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)和差示扫描量热仪(DSC)等进行表征。用X-射线光电子谱(XPS)来表征样品的组份和元素的价态,样品的红外光吸收谱也被测量。结果显示,当B掺杂达到2.0at%时,V1-xBxO2(M)相的转变温度升高到75.03℃。这个升高的相转变温度可归因于B3+替代V4+引起VO6八面体的晶格畸变,以及局域晶格电子密度的降低。 相似文献
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Rhenium is a superconductor with a relatively weak tendency to oxidize, which is advantageous in superconducting quantum circuit and qubit applications. In this work, Re/A1-A1Ox/Re Josephson tunnel junctions were fabricated using a selective film-etching process similar to that developed in Nb trilayer technology. The Re films had a superconducting transition temperature of 4.8 K and a transition width of 0.2 K. The junctions were found to be highly reproducible using the fabrication process and their characteristics had good quality with a low leakage current and showed a superconducting gap of 0.55 meV. 相似文献
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本文采用 DSC技术,系统地研究了具有不同形态结构的聚苯乙烯-聚异戊二烯二嵌段共聚物的玻璃化转变及其微相分离行为。研究表明:PI相的玻璃化转变温度T_(g1)高于纯PI的T_g,并随PI嵌段子量的降低而略有升高;由PS组成基体(PS含量高)的嵌段共聚物的T_(g1)低于由PI组成基体(PS含量低)的嵌段共聚物的T_(g1),PS相的玻璃化转变温度T_(g2)低于纯PS的T_g,并随 PS嵌段分子量的降低而显著下降;由PS组成基体(PS含量高)的嵌段共聚物的T_(g2)高于白PI组成基体(PS含量低)的嵌段共聚物的T_(g2)。以上实验事实均可由在分相界面区内以化学链相连的PS与PI链段间的相互作用及其对PS与PI链段运动的影响予以解释。 相似文献
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