Ge_x Si_(1-x)/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究

本文用光弹理论,在全面考虑了超晶格中两种材料的声速,质量密度和光弹常数存在差别的基础上,计算了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中折迭纵声学声子的喇曼散射强度,在高达50cm~(-1)的频率范围内,理论值和实验符合得很好。     

高能物理学发展的回顾和展望

 从电弱统一理论提出到现在已经过去了23年.量子色动力学从诞生到现在也已经历了17年,在这期间CERN建成了E_cm=60GeV的质子对撞机ISR;FNAL和CERN分别建成了能量为500GeV和450GeV的质子同步加速器.     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

SPE电极上Pt单组分及Pt-Au双组分还原态CO_2阳极剥离电化学氧化行为研究

采用循环伏安法，对ＳＰＥＰｔ电极以及ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ电极上还原态ＣＯ２的电化学氧化行为研究表明，此类电极的电化学特性与光滑Ｐｔ电极一致：ＣＯ２在氢原子吸附电位区０～２５０ｍＶ（ｖｓ．ＲＨＥ）处，可与电极上化学吸附的氢反应，生成还原态的ＣＯ２，通过线性扫描，还原态ＣＯ２即发生一不可逆电化学氧化过程（阳极剥离）．在ＳＰＥＰｔ系列及ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ系列上ＣＯ２的电化学行为表明，当ＳＰＥＰｔ系列上Ｐｔ的载量为２．５ｍＬ的０．０１ｍｏｌ·Ｌ－１Ｈ２ＰｔＣｌ６的Ｐｔ时，对还原态ＣＯ２的电催化活性最好，当Ｐｔ的载量相同时，在ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ上，催化剂对还原态ＣＯ２的电化学氧化行为比ＳＰＥＰｔ电极更强，这是由于预先沉积的Ａｕ对后沉积的Ｐｔ有调制作用．     

端面泵浦掺Yb3+双包层光纤激光器

从双包层光纤激光器的速率方程出发，得到了光纤中泵浦光与激光的功率分布、输出功率与泵浦功率的关系、腔镜反射率及光纤长度对输出功率的影响。研究结果表明：输出激光功率与光纤长度及后腔镜反射率有很强的依赖关系，存在一个输出功率最大的最佳光纤长度。后腔镜反射率越大，输出激光功率越小；当光纤长度较短时，在输出端放置反射镜使泵浦光高反射，可以提高输出功率和效率。通过对端面泵浦掺Yb3+双包层光纤激光器进行理论分析和实验研究，得到输出激光的中心波长为1088.3nm，斜率效率为33.7%，最大输出功率为1.75W。     

降合物假冠醚研究（Ⅱ）新型聚合物的合成、吸附特性与绿色应用

合成了两种假冠醚型聚合物。研究了聚合物对金属离子的静态吸附性能。结果表明，聚合物对Ag^ ，Pb^2 ,Hg^2 表现出良好的吸附特性，且聚合物B的吸附能力优于聚合物A。吸附实验表明，除冠醚氧原子参与配位外，－CH2OH的氧原子亦参与了配位。聚合物B对Ag^ 的吸附过程中存在着明显的氧化还原现象，Ag^ 被还原为Ag^0，而聚合物分子中的－CH2OH被氧化成为－COOH。已初步将研究成果应用于本化学实验室的绿色化建设中。     

用超磁致伸缩调谐光纤光栅的光分/插复用器

提出并研究了一种新型多信道切换的全光分/插复用器,它主要由光纤Bragg光栅(FBG)和一对光环行器组成.采用了一种高效的超磁致伸缩材料(GMM)使FBG产生有效的Bragg波长偏移.用控制电流来调控FBG的应变和Bragg波长偏移.用4只相同的FBG与波长叠加技术相结合,可建立能提供15种不同下路信道方式的OADM.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.