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81.
在考虑自由体积和局部临界扩散势能的基础上,提出一种新的计算自扩散系数模型,并给出新模型中各个因子物理含义.同时还提出一种计算局部临界扩散势能的新方法,并应用于新模型.另外将衍生van der Waals状态方程应用于求解自由体积,式中所需径向分布函数由Morsali-Goharshadi方程得到.在相同条件下,新模型比原自由体积模型更准确. 相似文献
82.
在280-500K温度范围内用自动绝热量热计测量了(n-C~1~2H~2~5NH~3)~2CdCl~4的热容。在所研究的温度范围内发现一个固-固相转变, 其相变温度, 相变焓和相变熵分别为(332.4±0.1)K,(48.35±0.33)kJ.mol^-^1和(145.5±1.0)J.K^-^1.mol^-^1。结合已发表的(n-C~1~2H~2~5NH~3)~2MCl~4(M=Mn, Zn)的相变参数讨论了此类配合物的中心原子对其相变的影响。[MCl~4]^2^-配位方式的不同被认为是该类配合物的相变热参数产生差异的主要原因。 相似文献
83.
关于一类自映射轨道的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
1 概念及已有结果 设X为拓扑空间,f∈C0(X,X),f0表示恒等映射,对任意自然数n,定义fn=fοfn-1. 称O(x,f)={fn(x)│n=0,1,2,… ;x∈X}为x的f轨道. 关于周期点、周期点集、周期、周期轨道,Sarkovskii序如通常定义,可参见[1]. 相似文献
84.
20 0 2年 8月 12日的Phys .Rev .Lett.第 89卷第 0 75 5 0 2页上发表了Petkov等的论文“渗入Cs的ITQ - 4沸石 (Zeolite)的结构 :在膺一维空隙中的金属离子列和相关的电子” ,文中发展了X射线原子对分布函数 (PDF)方法 .这种结构可以发展成为应用广泛的新的电极材料 .沸石ITQ - 4是一种由SiO4四面体为骨架的网格状硅酸盐 ,其中的空隙尺寸略小于1nm ,允许尺寸小于它的分子通过 ,因此它也是一种分子筛 .沸石原来是晶态 ,渗入Cs后则处于晶态和非晶态之间的中间状态 ,其中的晶态部分产生X射线布拉格… 相似文献
85.
采用改进分析型嵌入原子法计算了Pt(110)表面自吸附原子的能量和法向力.当Pt吸附原子位于Pt(110)表面第一层原子的二重对称洞位上0.11nm时最稳定.Pt吸附原子的最佳迁移路径是由一个二重对称洞位沿密排方向迁移到最近邻的另一个二重对称洞位.在吸附原子远离表面的过程中,将依次经过排斥、过渡和吸引等三个区域.在排斥区和过渡区,由于吸附原子与表面原子间强的相互作用势,吸附原子的能量和法向力的形貌图均为(110)面原子排列的复形,与对势理论和嵌入原子法得到的结果一致.在吸引区,由于多体相互作用及晶体中原子
关键词:
金属表面
自吸附
能量
力 相似文献
86.
以一维二次同余码(QCC)作为扩时模式,以光正交码(OOC)和QCC码作为频域跳频模式,通过时域和频域的组合,构造了适用于光码分多址(OCDMA)系统的QCC/QCC和QCC/OOC 2种跳频扩时码,并对码的容量及其相关性进行了分析。与一维QCC码相比,QCC/QCC跳频扩时码的容量扩大了p 1倍(p为码重),相关性得到改善,并且码字异相自相关限λa=1,互相关限λc=2;QCC/OOC跳频扩时码具有更大的码容量和更好的相关性,码字异相自相关限λa=0,所有码字按一定规律可分成p 1组(p为码重),每组内码字的互相关限λa=1,不同组间码字的互相关限λa=2。所得结果为光码分多址系统中跳频扩时码的构造提供了一种新的方法。 相似文献
87.
对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描.明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23~39 meV. 相似文献
88.
本文旨在将B.Fisher关于完备度量空间中映射对的公共不动点推广到Hausdotff度量下集值上半连续映射对的情形,得到了定理3,推论5.8.引理7是关于Hausdorff度量的新结果。 相似文献
89.
本文研究了一个二阶微分方程的解及其振动性质,利用它获得了一般二阶自共轭方程的振动性判别准则,特别对其中一类二阶微分方程的振动性给出了定量的判别方法.推广了E.Hille的工作,使E.Hille的研究结论成为本文结果的极特殊的情形,同时对一类具有“积分小”系数或可化为具有“积分小”系数的二阶微分方程的振动性与非振动性给出了简便、精确的判别方法. 相似文献
90.
在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化. 相似文献