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本文分析了经典分子动力学(Molecular Dynamics)技术在模拟厚度在纳米量级的单晶硅薄膜平行于薄膜平面方向的热导率时出现的用难,指出精确计算薄膜表面附近处的原子运动状态对于单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟具有重要意义,并在此基础上提出采用基于分子动力学和预处理共轭梯度法(Preconditioned conjugate Gradients)的Ab Initio方案模拟面向热导率。 相似文献
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稀磁合金的杂质效应对热导率和热电势的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用李正中的Hamiltonian,讨论了稀磁合金中sd互作用效应(孤立杂质效应和RKKY关联效应)对热导率和热电势的影响. 相似文献
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应用离散变分Xa量子化学计算方法,研究了IrSb3,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmGe3Sb9三个skutterudites的组成、结构、化学键和热电性能之间的关系。对Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9,用多个模型研究了稀土元素振动的结构。计算结果表明,稀土原子靠近Ge原子的模型比靠近Sb原子的模型更为稳定,热导率也较低。Ir4NdGe3Sb9的共价键比Ir4SmGe3Sb9弱,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9的共价键又比IrSb3弱,与热导率的实验测量结果一致。 相似文献
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