超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

非球面塑料透镜注射型芯工艺探讨

本文来自于作者的实践。介绍了加工方法及测量问题。重点叙述了加工中的一些关键,同时也提供了国内外在这方面的进展情况。     

自集成透镜InGaAsP／InPDHLED及其离子束铣技术

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。     

微微秒超短脉冲的光学压缩

在研究了短光纤(L～L_w)中受激喇曼散射的斯托克斯脉冲对基波脉冲能量箝位效应的基础上进行了脉冲压缩实验。以高泵浦功率(P=1600W)注入长度为8.95m绿光单模光纤中,采用双光程的光栅对压缩结构,并引入空间频率窗口滤除自相位调制光谱的非线性啁啾部分,将40ps的锁模Nd:YAG倍频光脉压缩至<5ps。     

微微秒自动调谐参量激光的研究

采用一对MgO:LiNbO_3角度调谐覆盖了红近外波段0.7～2.2μm,并配以自动波长扫描。文中分析了影响脉冲宽度与线宽的因素,与实验结果相吻合。脉宽<30ps,线宽～1nm(简并波长附近～10nm),单脉冲峰功率达MW级,参量光总能量转换效率达5.4％。     

类锂离子与软X射线激光研究有关的跃迁波长和振子强度

本文用多组态HXR自洽场方法和优化以Slater径向积分法相结计算了类锂离子(Z=13～17,19)1s~2nl~2LJ(2≤n≤5,0≤l≤4)能级之间的跃迁波长和振子强度,并和实验进行了比较。就软X射线激光跃迁4f—3d而言,本文计算的波长值比其它文献的计算值更接近于观测值。     

激光沉积超导薄膜过程中出射粒子速度的飞行时间谱分析

采用飞行时间谱技术,测量了准分子激光烧蚀沉积高温超导薄膜过程中,由靶面出射粒子的飞行速度。研究了粒子速度与充氧压及其激光能量密度的关系。讨论了高能粒子在薄膜原位低温外延生长中的作用。     

利用CARS方法研究超短脉冲激光的脉冲宽度

在理论上提出了利用两光束CARS/CSRS方法测量超短脉冲激光的三阶相关函数。实验上在几种样品中测量了CARS/CSRS的时间特性,得到了泵浦光脉冲,SCDL输出光脉冲以及受激喇曼散射光脉冲的宽度。     

用激光感生荧光法测量亚稳态原子寿命

本文用激光感生荧光法(LIF)分析了Gd原子亚稳态能级215cm~(-1),533cm~(-1),999cm~(-1)在原子束中的速度分布。由原子束轴线上两不同点上的亚稳态原子速度分布的变化得到了亚稳态原子的寿命。理论分析和实验结果表明这是一种简单、灵敏并且有效的亚稳态原子寿命测量方法。     

铜到钼的类钠离子能级结构及软X射线光谱理论计算

本文采用Hartree-Fock自洽场方法,从理论上计算了铜到钼的类钠离子1s~22s~22p~6nl(n=3～6,l=O～5)各能级能量。给出了有可能实现软X射线激光的跃迁(5g—4f,5f—4d,6g—4f,6f—4d)的光谱性质:跃迁波长、振子强度,并和实验值进行了比较,跃迁波长的相对误差不超过千分之二。从计算结果可知,Se的6f—4d跃迁,Br的6g—4f跃迁,Zr的5f—4l跃迁,Nb的5g—4f跃迁都已进入水窗波段。