超声波在棉织物退煮漂一浴法中的应用

利用超声波技术对棉织物进行退煮漂,采用正交试验法研究了超声波退煮漂一浴法的工艺,最佳的工艺条件为：超声波功率50W,超声波退煮漂一浴时间30min,温度70℃,表面活性剂（DLEO9）浓度6g/L,NaOH浓度20g/L。在此条件下,棉织物的退浆率、毛细管效应能达到常规一浴退煮漂较长时间（60min）和高温（90℃）的效果,且织物的强力损失小。超声波的使用能显著地缩短退煮漂时间和降低退煮漂温度。     

莫来石空心球的制备与表征

以工业氢氧化铝为铝源,粉煤灰漂珠为模板,五氧化二钒和氟化铝为添加剂,采用固相反应原位制备了莫来石空心球.粉煤灰漂珠与工业氢氧化铝按质量比为45∶55配料,外加4wt;V2O5与3wt; AlF3,5wt; PVA溶液,通过粘附法,在900℃至1200℃下恒温2h随炉冷却.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对莫来石空心球进行了表征.结果表明:在1000℃至1200℃下制备的空心球主晶相为莫来石相,空心球球壳是由细长针状的莫来石组合而成,其长度约为8μm,长径比平均为25∶1,球壳内部莫来石未发育完全,而是形成了比较致密的内部结构体.     

基于光纤光栅的高压固体压力传感器研究

固体内部压力是国防科技领域需重点监测的参数之一,目前使用较多的测压设备均存在电磁干扰严重、可靠性及准确性差等缺陷.针对以上不足,本研究设计了光纤光栅耐高压固体压力传感器.采用平面薄板作为弹性承压膜片,利用压力作用下的挠度,拉动压力敏感光栅产生轴向位移,实现压力传感.根据测压范围,对其结构进行理论计算,并进行有限元仿真,验证了本设计的可行性.在恒温条件下,进行了压力校准实验,并通过处于同一温度场的温补光栅进行温度补偿,修正应变光栅的温漂.实验结果表明,构建的承压光栅(FBG)压力传感器可以进行压力传感,测压上限可达50 MPa,线性度为99.2%.     

光纤陀螺零漂数据滤波方法的研究

在对光纤陀螺零偏稳定性数据建立时间序列模型（ARMA模型）的基础上,采用卡尔曼滤波算法对光纤陀螺的漂移数据进行了处理,并采用Allan方差法和最小二乘法对滤波后的数据进行了处理,拟合,最后求出滤波后数据中各噪声的误差系数。     

无石棉自增强摩擦材料的研制与性能研究

为了消除石棉基增强摩擦制动材料对环境和人体的危害，以α－氨丙基三乙氧基硅烷为活化剂，对取自粉煤灰的漂珠进行活化处理，再以其作为基础增强填料替代石棉，成功地研制出新型无石棉自增强摩擦材料．这种新材料的基本组成除增强剂漂珠外，还有树脂－橡胶粘结剂和摩擦改善剂等．检测和试用结果证明，在给定的试验条件下，与石棉增强的摩擦材料相比，这种无石棉自增强摩擦材料的摩擦学性能好，制动时间短，偶件的磨损很小，而且漂珠价廉易得，并为粉煤灰的再生利用找到了一条新途径     

十二烷基硫酸钠对金属离子-漂蓝6B显色体系的胶束增溶作用

漂蓝6B(ECAB)与铬天青S(CAS)均属于三苯甲烷类酸性染料,两者结构相似,差别仅仅是在氯取代的苯环上ECAB少一个磺酸基,故ECAB及其金属配合物(M-ECAB)的水溶性较差。近年来的研究表明,在表面活性剂(简写作Sf)存在下,ECAB是一种有实用价值的显色剂。已研究过的Sf有阳离子型,非离子型略及阴、阳离子混合型。但阴离子表面活性剂(简写作a-Sf)对金属离子-漂蓝6B(或与其他三苯甲烷类酸性染料)显色体系的胶束增溶作用,尚未见报道。最近我们发现,在十二烷基硫酸钠(简写作SDS)存在下,在pH6.3左右,铍(Ⅱ)-ECAB体系的λ_(max)为616nm,表观摩尔吸光系数达1.11×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1),比相应的二元配合     

半球谐振陀螺仪随机误差分析

为了研究半球谐振陀螺仪的随机误差特性,评定陀螺仪的静态精度,测试了陀螺仪处于静态工作条件下的零漂数据,对陀螺仪的输出的噪声功率谱进行了分析,最后用Allan方差分析方法得出了半球谐振陀螺仪随机误差系数.根据功率谱密度分析的结果与Allan方差分析的结果,分析了不同时期的半球谐振陀螺的噪声源特性.表明Allan方差可以评定半球谐振陀螺仪的噪声水平,指出了新研制的半球谐振陀螺仪的随机噪声明显小于以前的陀螺仪的噪声,精度有了大幅度的提高.     

多频合路器单元关键技术设计

资源集约化多网融合、多系统共用信号分布组网是大势所趋;无线移动通信的多频合路器单元,就是基于无线通信多网多频兼容技术而设计,目的是解决无线信号的室内分布覆盖问题.文中重点就多频合路器单元设计过程中滤波器建模仿真、无源互调、温漂补偿三个关键技术展开论述.     

808 nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析

为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2 的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60 μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20 ℃、脉宽为50 μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50 ℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。