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971.
将3Y-TZP陶瓷置于常压、100℃沸水下低温老化处理0~100h,在120N载荷、0.42m/s滑行速度和蒸馏水润滑条件下对老化处理后的陶瓷进行摩擦磨损试验.结果表明:随着老化时间的延长,3Y-TZP陶瓷的硬度和抗弯强度呈下降趋势,摩擦系数经历了1个先降后升的阶段,磨损率随老化时间的延长而逐渐增大.未经老化时,3Y-TZP陶瓷的主要磨损机理为犁沟和塑性变形;50h老化后陶瓷磨损表面主要为塑性变形和微断裂;经过75h老化处理后,陶瓷的磨损率已上升到严重磨损阶段,磨损机理发生了转变;老化进行100h后,3Y-TZP陶瓷的主要磨损机理为断裂磨损. 相似文献
972.
现今国内外已经有不少对可信平台模块进行测试的研究成果,但是对测试效率分析不足.本文基于自动机理论和中国邮递员问题,提出了可信平台模块改进的有限状态机模型与相应的优化测试方案,通过寻找一条遍历有限状态机模型中每一条转移至少一次的最短路径的方法,从而生成费用优化的测试序列.测试结果表明,测试方案能够简化有限状态机状态的测试. 相似文献
973.
用热蒸发法于700℃在硅衬底上制备了纳米线、多针状、四脚针状结构的ZnO,研究了衬底与热源间的距离对ZnO形貌的影响.用扫描电镜(SEM)表征了ZnO的形貌,当衬底距热源20mm时,ZnO呈现四脚针状且具有很细的尖端,直径为50nm.X射线衍射(XRD),微区Raman图谱表明四脚针状ZnO是高纯的六角纤锌矿结构.另外,对ZnO不同形貌的生长机理进行了初步研究. 相似文献
974.
975.
介绍了一种利用金属材料的热膨胀而产生的位移代替传统的机械电机提拉晶体的新方法,可以预见这种新型提拉方法既可以消除晶体提拉过程中由于拉速的不平滑而引进的晶体生长条纹,同时也可以作为研究晶体生长机理的有力工具,另一方面,该方法可以用来提拉这样的一灰晶体,这种晶体溶质的浓度周期地分布于其中,且其周期远小于用机械电机所提拉的晶体溶质浓度的周期,同时,另一种新颖的控温方式被首次提出,即先把金属棒加热膨胀至一定的长度再冷却使之收缩,由于这种控温方式温度波动极端微小,使得金属棒收缩所产生的位移随时间的变化率达到微观的平滑极限。 相似文献
976.
利用激光溅射法直接产生了锰/磷、钛/磷二元团簇正、负离子MxPy^±(M=Mn、Ti) ,并用串级飞行时间质谱仪研究了团簇离子的组成与激光光解规律。实验表明钛与磷间成簇的能力强于锰与磷间成簇的能力,且MPy^+(M=Ti、Mn)团簇离子系列表现出峰强度了胡所含磷原子数目的奇偶性变化,这可能与P4结构的特殊稳定性有关。激光光解实验表明,失去中性P2、P4的通道为主要光解通道。随着团簇离子的生长,锰/磷团簇正离子逐渐由富磷簇向富金属簇过渡,钛/磷则趋向于形成钛原子数目与磷原子数目接近相等的团簇正离子,而二者与磷形成的团簇负离子MxPy^-(M=Mn、Ti) 逐渐趋向于x ≈ y,随样品中磷含量增加,锰/磷易形成富磷簇,钛/磷的组成趋向不改变。 相似文献
977.
978.
对类金刚石 (以下简称 DLC)薄膜受 γ射线与 N离子辐照的结果进行了比较 .通过 Raman光谱分析得出 :γ射线辐照造成薄膜中 SP3C— H和 SP2C— H键的减少及 SP3C— C键的增加 ,与此同时氢原子结合成氢分子 ,并从膜中释出 ,薄膜的类金刚石特征更加明显.当辐照剂量达1 0×104Gy时 ,SP3C—H键减少了约 5 0 % .N离子辐照使 DLC薄膜中 SP3C— C键、SP2 C—H键及 SP3C—H键的含量均变少 ,并伴随着氢分子的释出 ,直接导致 DLC薄膜的进一步石墨化,其对 SP3C—H及 SP2C— H键的破坏程度远大于γ射线 .两者在辐照机理上截然不同.The results of the diamond like carbon films(the following is called for short DLC film) irradiated by γ rays and N ion were reported. It showed that SP 3C—H and SP 2C—H bonds were decreased, and SP 3C—C bonds were increased by γ ray irradiation, and induced hydrogen recombination with H 2 molecules, and subsequently released from the surface of the films. When the γ ray irradiation dose reached 10×104Gy, the numbers of SP3C—H bonds were decreased by about 50%... 相似文献
979.
本文从物理磁性的基本起源“分子电流”出发,通过分析电子在外磁场中的旋进,严格分析了磁介质的抗磁性的微观机理。 相似文献
980.