亚甲基蓝分光光度法测定锑浸出液中硫化钠

湿法炼锑中常采用硫化钠作为从锑矿中提取锑硫化物的浸出剂。准确测定锑浸出液中的硫化钠浓度对掌握和完善湿法炼锑工艺、提高生产效率有重要作用。将亚甲基蓝分光光度法用于锑浸出液中硫化钠的测定,考察了波长选择、体系酸度、显色时间、基质干扰等条件,测评、优化了方法;将方法应用于锑浸出液中硫化钠的测定,方法检出限为0.002mg/L,测定结果相对标准偏差≤3%,加标回收率≥90%。方法能较理想地应用于锑浸出液中硫化钠的测定,丰富了锑浸出液中硫化钠的测定方法,也为相关研究提供了支持与参考。     

碳点/海藻酸复合荧光纤维的制备及应用

以超支化聚乙烯亚胺和柠檬酸为原料,采用水热合成法制备了荧光碳点,探究了碳点的荧光性能和对四环素和Fe³⁺的传感特性。通过PEI表面氨基修饰,在EDC/NHS催化作用下通过羧胺缩合接枝到海藻酸纤维表面,得到了具有蓝色荧光的碳点/海藻酸复合荧光纤维。通过扫描电镜、共聚焦荧光显微镜和万能拉伸仪表征了纤维的微观形貌、荧光特性和机械性能,探究了纤维的荧光稳定性和传感性能。     

系统聚类-BP神经网络吸光光度法同时测定地质样品中钼钨锡锑

根据朗伯 比耳定律,建立了用于多组分分析的数学模型,将系统聚类法与人工神经网络相结合用于地质样品中钼钨锡锑的同时测定,其相对误差小于±12.5%。对神经网络隐层节点数的确定,样本及其个数的选择,以及如何防止过拟合现象的产生等问题进行了讨论。     

以印染废水为主的城镇污水处理厂锑污染来源特征分析

为研究以印染废水为主的城镇污水处理厂锑污染来源特征,对浙江省嘉善县某污水处理厂及纳管行业进行水体锑（Sb）的采样分析,同时对印染和喷水纺织两大行业的锑污染源进行分析.研究表明,在污水处理厂纳管废水中,印染行业废水占纳管总量的55.2%,排锑量占总量的79.3%,是该污水处理厂锑污染的主要来源;在印染生产过程中,布料中锑的平均流失量为7 mg·kg^-1,平均损失率为13%,污染物锑在退浆、水洗和染色工艺段中的释放量依次为：染色 > 退浆 > 水洗;喷水纺织织造工艺中锑的释放量较少,布料中锑的平均流失量为2.2 mg·kg^-1,平均损失率仅为2.1%;污水处理厂进出水、印染各工段废水和织造废水中,锑主要以Sb（V）形态存在.     

四种藏药成方制剂中铅、砷含量的湿法消化-流动注射氢化物发生-原子吸收光谱法测定研究

选择藏族地区常用的四种藏药成方制剂安置精华散、当佐、仁青常觉和七十味珍珠丸作为研究对象,通过优化消化条件和测定条件,探索建立其铅、砷含量测定的湿法消化与流动注射氢化物发生-原子吸收光谱(FI-HAAS)联用分析方法,并对其铅砷含量进行精确测定。在优化的工作条件下,铅和砷的检出限分别为：0.067和0.012 μg·mL-1;定量限分别为：0.22和0.041 μg·mL-1;线性范围分别为：25～1 600 ng·mL-1(r=0.999 5),12.5～800 ng·mL-1(r=0.999 4);精密度(RSD)分别为：2.0%和3.2%;加标回收率范围分别为：98.00%～99.98%和96.67%～99.87%。四种藏药成方制剂的铅、砷含量测定结果如下,安置精华散中铅砷含量分别为：0.63～0.67和0.32～0.33 μg·g-1;当佐为：42.92～43.36和24.67～25.87 μg·g-1;仁青常觉为：1 611.39～1 631.36和926.76～956.52 μg·g-1;七十味珍珠丸为：1 102.28～1 119.27和509.96～516.87 μg·g-1。本研究建立了藏药成方制剂中铅、砷检测方法,并测定了四种藏药成方制剂中铅、砷含量,为其在临床安全有效使用提供了参考依据。     

基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒

提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9;.     

光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率

以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀.结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反.刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起.20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%.     

双道原子荧光光谱法同时测定农产品中的砷和汞

研究了湿法消解,双道原子荧光光度计同时测定农产品中的砷和汞,优化了检测条件和消解步骤,为在日常工作中,检测大量样品提供了快捷、简单、准确、灵敏和重现性好的方法。砷、汞检出限分别为:0.053μg/L、0.0136μg/L。针对一般化验室的仪器配置,采用简便的湿化消解方法,样品砷和汞加标回收率分别为96.8%—101.2%和96%—97.5%,对国家标准物质茶叶、牛肝等进行检测,精密度和准确度都符合要求。     

吸收型偏光片制作及测试实验

介绍了偏光片制造技术,设计出简易偏光片制作实验.分别采用干法和湿法进行样品制作实验,在不同波长范围内对样品的透光率和偏振度进行了测试,其中在可见光范围内,制品透光率30%以上,偏振度98%以上.对制作偏光片的不同方法进行比较,并对自制偏光片与标准偏光片进行了对比,探讨了部分制品性能不良的原因.     

超声波震荡法及润湿性增强法对单晶硅阶梯光栅闪耀面粗糙度的影响

单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度会引起入射光的散射形成杂散光,为获得低杂散光的阶梯光栅槽形,减小单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度显得尤为重要。在单晶硅湿法刻蚀工艺中,阶梯光栅闪耀面表面粗糙度较大的原因是反应生成的氢气易在硅片表面停留,形成虚掩模,阻碍反应的进一步进行。基于超声波空化作用及异丙醇(IPA)增加单晶硅表面润湿性的原理,在单晶硅湿法刻蚀制作阶梯光栅工艺过程中分别利用超声波震荡法及润湿性增强法对所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度进行改善。利用超声波震荡法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于15nm,利用润湿性增强法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于7nm。同时施以超声波震荡法和润湿性增强法,在异丙醇质量分数范围为5%~20%,超声波频率为100kHz,功率范围为30~50 W时,所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于2nm,而且当异丙醇质量分数为20%、超声波频率为100kHz以及超声波功率为50W时,所制中阶梯光栅闪耀面表面粗糙度达到1nm。实验结果表明,同时施以超声波震荡法及润湿性增强法,并优化实验参数可以制备更低粗糙度的阶梯光栅。