超急速爆发沸腾的傅立叶与小波分析

采用快速瞬态微型压力测量系统对脉冲激光加热下无水乙醇超急速爆发沸腾过程中液池内压力变化进行了测量,利用傅立叶变换、小波分析等理论工具对该过程的能量与频率特性进行了分析,并对汽泡群行为进行了理论推测.结果发现,爆发沸腾过程中压力信号频率处于MHz量级;在不同阶段气泡群行为具有不同特点.     

Korteweg-de Vries方程的准孤立子解及其在离子声波中的应用

应用推广的tanh函数展开法,给出了Korteweg-de Vries方程具有准孤立子行为的两组孤子-椭圆周期波解,其中一组为新解.推导了均匀磁化等离子体中描述离子声波动力学行为的Korteweg-de Vries方程,发现电子分布、离子电子温度比、磁场大小、磁场方向对离子声准孤立子的波形具有显著影响.     

电光调制对外部光注入垂直腔表面发射激光器的偏振转换及其非线性动力学行为的操控性研究

针对主和副垂直腔表面发射激光器构成的外部注入激光器系统的偏振转换及其非线性动力学行为, 利用周期性极化铌酸锂晶体中准相位匹配线性电光调制, 本文提出了一种新的操控方案并且探索了其控制规律. 研究结果发现, 受到平行光注入或正交光注入的副激光器输出偏振度随外加电场成周期性振荡变化, 其振荡波峰轨迹包络曲线为正弦曲线, 而振荡波谷轨迹包络曲线为余弦曲线; 选取一定的主激光器偏置电流, 通过对来自主激光器的光进行电光调制, 受到两种方式注入的副激光器可以输出任意偏振模, 并且其非线性动力行为经历不同的演变. 另外, 副激光器的偏振度仅依赖于外加电场, 与副激光器的偏置电流无关.     

基于有源广义忆阻的无感混沌电路研究

采用常见元器件等效实现一个广义忆阻器, 进而制作出一个电路特性可靠的非线性电路, 有助于忆阻混沌电路的非线性现象的实验展示及其所产生的混沌信号的实际工程应用. 基于忆阻二极管桥电路, 构建了一种无接地限制的、易物理实现的一阶有源广义忆阻模拟器; 由该模拟器并联电容后与RC桥式振荡器线性耦合, 实现了一种无电感元件的忆阻混沌电路; 建立了无感忆阻混沌电路的动力学模型, 开展了相应的耗散性、平衡点、稳定性和动力学行为等分析. 结果表明, 无感忆阻混沌电路在相空间中存在分布2个不稳定非零鞍焦的耗散区和包含1个不稳定原点鞍点的非耗散区; 当元件参数改变时, 无感忆阻混沌电路有着共存分岔模式和共存吸引子等非线性行为. 研制了实验电路, 该电路结构简单、易实际制作, 实验测量和数值仿真两者结果一致, 验证了理论分析的有效性.     

名义上无水硬玉矿物中“水”的热变异行为研究

以硬玉岩中名义上无水硬玉矿物为研究对象,通过常温和变温红外光谱测量,确定硬玉矿物结构水表征及变温过程热变异行为。研究结果显示：由M-OH伸缩振动所致的红外吸收谱带集中于3 700～3 600,3 570～3 520,3 500～3 300及3 230～3 140 cm-1波数范围内,但在不同的硬玉岩中具有不同的红外吸收。变温过程中,该吸收谱带基本在500 ℃左右相对吸收强度出现较为明显的减弱,且结构水含量也逐渐下降,进一步表征硬玉矿物中的“水”是以结构水的形式进入晶格。但此M-OH伸缩振动所致的吸收谱带、结构水含量和指纹谱均在850 ℃附近出现较为明显的变化,预示该温度硬玉矿物的成分已出现变异。硬玉矿物中“水”的热变异行为为进一步了解水分子的赋存状态与结合方式及其成岩机制提供一定的佐证。     

Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005

Photoluminescence of GaAs0.973Sb0.022N0.005 is investigated at different temperatures and pressures. Both the alloy band edge and the N-related emissions, which show different temperature and pressure dependences, are observed. The pressure coefficients obtained in the pressure range 0-1.4GPa for the band edge and N-related emissions are 67 and 45meV/GPa, respectively. The N-related emissions shift to a higher energy in the lower pressure range and then begin to redshift at about 8.5GPa. This redshift is possibly caused by the increase of the X-valley component in the N-related states with increasing pressure.     

考虑死区非线性的L滤波单相并网逆变器的精确离散迭代模型及其分岔行为

并网逆变器系统作为一个时变非线性系统,具有复杂的动力学行为,而死区非线性的引入使系统的非线性行为更为复杂和难以预测.本文以考虑死区非线性的L滤波单相并网逆变器为研究对象,首先观察不同死区时间下系统的输出电流波形,发现在控制器参数固定的情况下,随着死区时间的增加,系统会出现分岔现象;其次,根据死区非线性特性及其引起的电流过零钳位现象,分多种情况全面地建立了精确完整的离散迭代模型,并在此基础上对系统的分岔行为进行理论分析.此外,系统的稳定性判定具有重要的工程指导意义,由于死区非线性的引入,常规解析方法使用困难,而图解法的精度又难以令人满意,因此提出了一种基于等效占空比的稳定性判断方法,可以精确地判定系统的稳定边界,为控制器参数设计和死区时间设计提供了可靠依据.     

Carrier Transport Behaviour of Molecular Doped Poly（N—Vinylcabozole）in Polymer Light—Emitting Diodes

Single-layer polymer light-emitting diodes are prepared from blends of poly(N-vinylcarbozole)(PVK) doped with tris(8-hydroxy-quinoline)aluminium(Alq3) of 2wt%(sample a)and 0.2wt%(sample b).The onset of PVK transient electroluminescence(EL) is delayed with respect to that of Alq3 in sample a under pulsed excitation,while the EL onsets of Alq3 and PVK in sample b are simultaneous.The total carrier mobility of the Alq3-rich regions in sample a is larger than that of the PVK-rich regions.However,the total carrier mobility is homogeneous in sample b.the phase image of atomic force microscopy and photoluminescence spectra of samples a and b indicate that the separated phase of samples a and b exists in the PVK-rich and Alq3-rich regions.The variance of the doping concentration and separated phase in blends results in the different carrier transport mobility of Alq3-rich and PVK-rich regions.