链环的trip矩阵

ZULLI L首先构造了一个用于计算纽结Kauffman尖括号多项式的模2矩阵,纽结的trip矩阵.为了构造链环的trip矩阵,引入了一个带标识的穿有m个孔的圆盘来取代纽结情形下的圆盘,其中m为链环的分支数.主要结果为:定理若状态S是从状态AA…A经过i1,i2,…,ip位置上的标记替换(A换成B)而得的状态.设Ts是将trip矩阵T的左上角的n×n子块中ai1i1,ai2i2,…,aipip之值进行替换(0→1或1→0)所得的矩阵,则#(L|S)=n+m-秩(Ts).因此计算链环Kauffman尖括号多项式就归结为计算一组模2矩阵的秩.     

关于图的最小覆盖算法

本文就数学建模课的教学过程中 ,在“图的方法建模”一章中 ,关于图的最小覆盖法提出启发式算法 .用书中所给方法推出一个反例 ,分析了其产生错误的原因 ;通过对图的最小覆盖的概念的理解、结合分析图的关联矩阵的特点 ,给出了图的最小覆盖的启发式算法 .     

微扰QCD方法计算稀有衰变B+→D+sK0

在标准模型中,稀有衰变道B⁺→D⁺_sK^*0只有通过纯湮没图才可以发生.这样这个衰变道的分支比很小.利用基于kT?因子化的微扰方法给出分支比的预测,发现它在10^－8的量级上.这个衰变道估计在将来的LHC上得到测量,对检验标准模型以及探寻新物理有着重要的意义.     

HL-1M装置等离子体与ICRH发射天线的相互作用

ICRH实验的一个比较突出的问题就是杂质。杂质的产生与ICRH发射天线同等离子体的相互作用和RF脉冲的发射有着不可忽视的联系。对HL－1M装置的ICRH发射天线在两年多实验中的变化作了简要的介绍和讨论，并对今后ICRH发射天线的设计提出了一些建议。     

铁铝催化体系催化丙烯酸丁酯聚合

研究了Fe(acac)3-Al(i-Bu)3-8-羟基喹啉(acac=乙酰丙酮)催化体系催化丙烯酸丁酯(BA)聚合，考察了聚合规律，用凝胶渗透色谱研究了聚合物分子量和分子量分布．动力学研究表明聚合反应对单体浓度呈一级关系，表观活化能为13．9kJ／mol．     

基因组重排问题的一个近似算法

分子生物学中基因无方向的反向基因组重排问题在数学上已被证明是一个NP困难问题．基于断点图的概念，给出一个时间复杂性为O(max{b^(π)，nb(π)})，空间复杂性为0(n)的求其近似最优解的算法．其中n为基因组中基因个数，π=(π1,π2，…，πn)表示n个基因的一种排列，b(π)表示排列π中的断点数．数据实验的结果表明，该近似算法可以求得较好的结果．     

2-乙酰氨基-3,4,6-三乙酰葡萄糖的合成

细菌内毒素(ＬＰＳ)是革兰氏阳性阴性菌细胞外膜层的主要成分,由其引起的革兰氏阴性杆菌脓度症和休克是导致战创伤病人死亡的主要原因之一。而从类脂Ａ(ＬｉｐｉｄＡ)的结构出发,以非肽类物质拮抗内毒素受体ＣＤ-14为治疗手段的研究在国外刚刚起步。2-乙酰氨基-3,4,6-三乙酰葡萄糖是合成ＬｉｐｉｄＡ结构类似物的重要中间体[1,2]。它的合成一般是通过氨基葡萄糖五乙酸酯的选择性水解[3-6]脱去一个乙酰基得到。氨基葡萄糖五乙酸酯是通过氨基葡萄糖的乙酰化反应得到的,由于氨基葡萄糖不稳定,一般是用氨基葡萄糖的盐酸盐作为起始原料。由于…     

Resistivity－temperature characteristics of sol gel YBa2Cu3Oy samples synthesized in flowing oxygen atmosphere

The relationship of resistivity versus synthesizing temperature of sol gel YBa_2Cu_3O_y samples was studied when prepared under flowing oxygen conditions. A set of high-temperature ρ－T curves was obtained for the whole process. After the sample finished the test measuring, its resistivity was ρ_{300}=9.83×10^{-3 }Ω·cm at room temperature. The ρ－T curve also showed that the orthorhombic－tetragonal phase transformation of sol-gel YBa_2Cu_3O_y sample occurred at 581℃ for the sample in the rising temperature process, but at 613℃ in the cooling process, lower than that of the samples made by using the conventional powder metallurgy methods.     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

金属材料分析方法的选择和施行第三讲钢铁中钼的测定(续)

(4)对离子交换分离-8-羟基喹啉重量法测钼的解说 在早年的ASTM标准方法中,α-安息香肟重量法及硫化钼沉淀重量法被采纳为钢铁及合金中高含量钼的测定方法。但从1988年以后的修订标准方法(即E351,E352,E353及E354)中对钼量w(Mo)>1.5％的试样均采用离子交换分离-8-羟基