巯基棉分离富集-荧光分析法测定水中痕量汞

实验发现,在pH 7.8的KH_2PO_4-NaOH缓冲介质中,十二烷基硫酸钠(SDS)可使Hg(Ⅱ)与吖啶橙(AO)反应后的荧光明显增强,据此建立了测定汞的荧光分析新方法。在最佳实验条件下,其质量浓度线性范围为0～200μg／L,检出限为2.47×10~(-9)g／mL。新建方法通过巯基棉分离富集汞,用于环境水样中痕量汞的测定,相对标准偏差为2.1％～4.7％,样品加标回收率为99.3％～101.2％,结果满意。     

1-(2-苯并噻唑)-3-(4-偶氮苯基)-三氮烯与汞的显色反应研究及应用

研究了新试剂１－（２－苯并噻唑）－３－（４－偶氮苯基）－三氮烯（ＢＴＰＡＰＴ）与汞的显色反应．在Ｔｗｅｎ－８０存在下，ｐＨ为１１．２０时，Ｈｇ（Ⅱ）与试剂生成红色的１∶１型配合物，最大吸收峰位于５１０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为１．１０×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，线性范围０－１４μｇ／２５ｍＬ．建立了可用于饮用水、生活用水和工业废水汞含量测定的方法．     

芳基汞化合物的性质研究——Ⅶ.邻位取代苯基氯化汞的质子分解反应

本文研究了邻位取代苯基氯化汞o-XC_6H_4HgCl(X=CH_3、H、Cl、Br、COOC_2H_5、NO_2)与HCl(NaI)在85％对氧陆圜水溶液中的质子分解反应,证明反应按S_El历程进行。视取代基不同,反应速度次序如下:CH_3>H>Cl>COOC_2H_5～Br>NO_2。从化学反应与紫外光谱的研究以及理论计算结果表明,p或π电子的邻位取代基对水原子有分子内配位,它对反应速度有重要影响。测定了15种p-、m-、o-取代苯基氯化汞在80％对氧陆圜水溶液中在40.0℃的质子分解反应的速度常数k_1,表明给电性取代基加速反应,吸电性取代基使反应减慢,这可以看作是反应中心在芳环上的芳基汞化合物的S_E1反应所具有的一个特点。     

聚丙烯中空纤维膜的微孔结构的控制

通过熔纺／冷拉伸法制备了微孔聚丙烯中空纤维膜。研究了工艺条件对微孔聚丙烯中空纤维膜的微孔结构与性能的影响。结果表明：随着纺丝温度的下降或熔体拉伸比的提高，最大可几孔径及孔隙率增大；熔纺中冷却风速提高，最大可几孔径及孔隙率较大；温度低于110℃时，热处理对最大可几孔径及孔隙率的影响较小，在120－130℃时，随着热处理温度的增加，最大孔径及孔隙率有明显增加的趋势；随着初纺中空纤维拉伸倍数的增加，孔隙率先增加而后下降。     

超微半扁球电极的稳态电流理论及其验证

本文用苯醌在Ｍｃｌｌｖａｉｎｅ缓冲溶液（ｐＨ＝７．０）中的电化学可逆还原反应体系验证了超微半扁球电极上的稳态电流方程式，理论与实验结果相符，超微半扁球汞电极用电镀法制备。     

可溶性汞化苯乙烯－丙烯酸甲酯共聚物的合成

用自由基溶液降合方法制备一系列苯乙烯－丙烯酸甲酯线型共聚物，用核磁共振测定了苯基在共聚物中的百分比，在该共聚物的四氢呋喃溶液中，用三氟乙酸汞在共聚物的苯环上进行亲电取代反应，得到可溶性汞化共聚物，由于这类泵化共的可溶于四氢呋喃，二氯甲烷等溶剂，用重沉淀法多次提纯，得到了纯度很高，溶解性较好的含重金属二价汞的共聚物，用红外光谱仪测定共聚物上的汞基团，用原子吸收定量测试共聚中的汞的百分聚代率，结果表明     

温度及pH敏感的树枝状高分子衍生物合成及药物控制释放研究

对合成的系列聚酰胺-胺型(PAMAM)树枝状高分子进行端基的羟基化和氯乙酰化两步修饰,使PAMAM最外层接上烷基氯.以修饰产物为引发剂,通过原子转移自由基引发甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯(DMAEMA)聚合得到树枝状PAMAM高分子衍生物,并对其结构用FTIR、1H-NMR和粒径分析进行了表征.紫外可见分光光度仪测定证实此高分子具有温度及pH敏感性.通过对小分子药物控制释放研究表明,此树枝状高分子衍生物通过环境pH值可有效地控制小分子药物的释放.     

动力学—压电石英晶体传感器测定水中微量汞的研究

基于涂银压电石英晶体对ＣＮ＾－离子的灵敏响应，应用汞对六氰合铁酸钾与邻二氮杂菲反应的动力学催化作用，建立了动力学－ＰＱＣ传感器单面触液测定微量汞的新方法。研究了ＰＱＣ传感器对汞的响应机理，响应曲线，实验条件及共存离子干扰情况。     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。