C40富勒烯分子的电子结构与传输特性研究

本文采用密度泛涵理论对富勒烯C₄₀分子进行了结构优化,得到了稳定构型,然后构建了以金原子面为电极的电子输运模型.使用非平衡格林函数方法对构建的电子输运模型进行了电子输运性质的计算,得到了电子透射谱和伏安曲线,并分析了分子器件产生电子输运性质的原因.研究结果发现:C₄₀富勒烯的化学活性明显强于富勒烯C₆₀和C₃₂分子,在一些分子能级处,该分子为一个良导体.     

The effects of ⁶⁰Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

C波段加速器初步热测实验

为了开展加速器小型化技术研究,进行了C波段2 MeV驻波加速器研制工作。目前,该加速器研制取得了显著进展,完成了全密封加速管的焊接,建立了加速器热测实验平台。在重复频率50 Hz情况下,进行了初步热测出束实验,利用电离室剂量仪测试了加速器靶前1 m处的X射线剂量率,并利用钢吸收法测试了电子束的能量。初步实验结果表明:电子束能量约2.5 MeV,剂量率超过330 mGy/(minm)。     

Effects of Dual-Electrode Biasing on Er in a Toroidal Plasma

Two externally biased electrodes were inserted into the plasma on the KT-5C tokamak to test the effects on modifying the radial electric field Er, other than single biasing. Using various combinations of biasing voltage,the influences of double biasing are compared with the single biasing. It turns out that the effect of dual-biasing is also effective as a single one, but the outer electrode seems to be shielded by the inner one and show less influence. The results clearly show that the radial electric field Er changed by external biasing is intrinsically an effect localized at the edge of the plasma, which is caused by the electrode induced radial current; and dualelectrode biasing using the method similar to the single biasing seems not to be able to increase more distinctly the peaking effect on Er than the single biasing.     

快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究

利用能量为2.0GeV的¹³⁶Xe和2.7GeV的²³⁸U离子对C₆₀薄膜进行了辐照,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C₆₀样品,在傅立叶变换红外光谱上,首次观察到一个位于670cm^－1处的,表征未知结构的新峰,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律.分析结果表明,电子能量转移主导了C₆₀薄膜的损伤过程;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的;另外,离子的速度在损伤的建立过程中也起了一定的作用     

激发态卟啉衍生物研究(Ⅶ)——取代基对卟啉—硝基苯化合物发光特性的影响

本文报导共价链相连的X-P-Y“三合板”型化合物在二甲基甲酰胺(DMF)和苯溶液中的发光特性.结果发现:引入取代基X=Cl—,CH3O—和Y=苯、硝基苯对中心卟啉的吸收和荧光光谱均无明显影响,仅其峰值频率将因溶剂不同而有所偏移.此外,由Cl—取代的卟啉—苯的荧光强度总比CH3O—取代时高;若将Y取代基由苯改换为硝基苯时,将使CH3O—P—Y化合物的荧光增强,但在Cl—P—Y化合物中则出现相反的趋势.不论在何种化合物中,在Y取代基中的苯环上引入NO2—基后,均可使其消光系数减小,而且当硝基在邻位取代时,这一效应更为显著.所有这些变化规律均不因溶剂不同而异.如果我们认为X—P—Y化合物的发光强度变化和其中心的卟啉大环上的π电子云密度偏移有规律性的关联,那么上述的一些取代基效应是可以理解的.进而,我们认为:本文所报导的事实将有助于充实巧妙设计高效利用太阳能的分子体系的科学依据.     

笼形倍半硅氧烷NMR的研究

笼形倍半硅氧烷是一类典型的多面体有机-无机分子复合物. ²⁹Si NMR是测定这类含硅化合物结构的有效方法. 利用²⁹Si NMR对6种笼形八聚倍半硅氧烷的结构进行了研究,结合所得数据探讨了这类化合物中取代基电负性对²⁹Si NMR化学位移的影响.根据¹H,¹³C NMR数据及各峰归属可以进一步判断笼形倍半硅氧烷取代基R的类型和结构.     

Camina—Gagen定理的一个推广（Ⅱ）

设Ｇ是２－（ｖ，ｋ，１）设计Ｄ上的自同构群的一个子群，且是线－本原。如果（ｖ，ｋ）＝ｋ／ｋ２，ｋ２≤１０。则Ｇ也是点－本原的。     

C波段全密封加速管研制

 介绍了一台1.5MeV的C波段便携式无损电子直线加速器的全密封加速管的设计、微波冷测和研制,热测结果表明该加速管满足加速器的设计要求。     

一种新的DENUDATINE型C20二萜生物碱结构的NMR研究

从内蒙西伯利亚乌头中分离得一个新的C20二萜生物碱,采用选择性远程DEPT,同核和异核二维NMR技术相结合进行了研究,其结构确定为Lepenine的C－11基向立体异构体,定名为11a－hydroxylapenine．结果表明,选择性远程DEPTNMR技术对于连接这类化合物中被季碳和杂原子分割的NMR自旋体系,测定基本骨架和确定信号归属都有独到之处．