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201.
应用拉曼光谱和电动态平衡技术研究了单滴醋酸钠和醋酸镁的过饱和溶液,特别是对在不同相对湿度条件下的结构变化以及接触离子对的形成进行了详细讨论。  相似文献   
202.
本文研究了MgB4O7中Ce^3+,Mn^2+光致发光性质与浓度的关系,并讨论了Ce^3+→Mn^2+能量传递的机理。  相似文献   
203.
Mg:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
在LiNbO3中同时掺入MgO和Fe2O3,生长了Mg:Fe:LiNbO3晶体。该晶体的衍射效率达到80%,且抗光致散射能力强,响应速度较快。以Mg:Fe:LiNbO3晶体作为全息关联存储的记录介质,记录图象清晰,噪声小,恢复图象信息完整。  相似文献   
204.
火焰原子吸收法测定硅酸盐中铁钙镁   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究火焰原子吸收法测定硅基体中铁、钙、镁时,硅对待测元素吸收信号的干扰及表面活性剂对硅干扰的抑制作用。以十六烷基吡啶盐(CPC)作干扰抑制剂,FAAS法测定硅酸盐中铁、钙、镁等元素,灵敏、简便、无干扰。合成样品中铁、钙、镁的回收率分别为99.8%、101.3%和98.3%。  相似文献   
205.
研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程。GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构。当增加N2气压时,损伤变得更严重。但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN。  相似文献   
206.
207.
208.
本文采用ICP-AES法同时测定降水中K、Na、Ca、Mg的含量。根据各元素的特性,为选择合适的入射功率、雾化压力、提升量以及试样的酸度等条件进行了探索,并且,用选定的最佳条件对样品进行测试。方法简便、快速、准确。测试结果的相对标准偏差均小于3%。  相似文献   
209.
本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长,测试了晶体的光学性能-双折射梯度和消光比,晶体的光折变阈值,红外透射光谱和光电导,用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Q开关。研究了它们的性能和应用。  相似文献   
210.
空心阴极放电沉积氮化碳薄膜的结构和成键性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)衬底上沉积了氮化碳薄膜.用XRD,SEM,XPS及拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.XRD分析表明,制备的氮化碳薄膜为非晶结构.XPS分析证实了薄膜中以C—C,sp2CN和sp3CN键为主,并得出薄膜中的氮碳比为0.71,而sp3—CN相的含量也达到了0.39.拉曼和红外吸收光谱的结果也与XPS分析的键态结果一致.  相似文献   
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