研究超固体的新方法

所谓超固体（supersolid）是这样一类物质，它们自身具有互斥的性质：一方面是刚性晶体，长程空间有序；另一方面，又象是自由流动的超流体．对于超固体的研究历史，可以追溯到1969年，Andreev and Lifshitz研究了晶体中格点空位的作用．他们提出：在极低温下，空位有可能在整个晶体范围内退局域化，形成玻色-爱因斯坦凝聚；尽管原子排列规则有序，超流行为仍可能在其中发生．在实验室中观察超固体行为的研究努力，持续了35年．2004年，美国宾州大学的Kim E等报告了关于超固体的第一个实验证据．加压4^He被置于一个扭摆容器中，当样品被冷却到175mK以下，实验者观察到扭摆转动惯量的突然下降．定量的估计表明，样品中大约有1％的组分停止了随固态氦的震荡，或者说有1％成为超流．不过，其中的机制，迄今尚无共识．     

一类非定常对流占优扩散问题差分-流线扩散法的后处理

讨论了一类非定常对流占优扩散方程的差分-流线扩散格式(FDSD),利用插值后处理技术,提高了特殊网格下该FDSD格式在双线性元空间的精度,从而按L∞(L2(Ω) 模达到最优．     

向量变分不等式的严格可行性问题

本篇文章首先定义了向量变分不等式的严格可行点概念,其次在假设了映射是强(D)-伪单调的情况下,证明了向量变分不等式解集非空有界与其严格可行点存在的等价性问题,推广了在数量变分不等式上得到的相应结果．     

AFC^＊一代数上的映射

本文讨论AFC^＊一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系．研究AFC^＊一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构，还证明了UHF代数上的2-局部（满线性）等距是线性的．     

双电子原子系统内电子云的变化

本文主要通过对形状密度的分析,研究了双电子原子系统的内电子云如何随外电子的运动而变化,考虑了外电子远离内电子云和靠近内电子云的情况。探讨了氦原子具有不同K-量子数的¹S^e态的几何特征和内部运动特征,探讨了能量转移机制和径-径(radial-radial)关联的细节。发现内电子云作为一个整体的运动和外电子的运动之间有强烈的关联。     

ICP-AES测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量

采用电感耦合等离子体-原子发射光谱法同时测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量.以表征表面调整转化层厚度及钝化膜厚度,采用本方法准确度高、快速简便,经试验结果令人满意.     

Some Results behind Dividend Problems

We consider the basic dividend problem of the compound Poisson model with constant barrierstrategy.Some results concealed behind the dividend problem are made explicit in the present work.Differentmethods and some of which are firstly given in this paper.All these results presented certain direct relationshipbetween some important actuary variables in classical risk theory is also revealed.     

Microstructure and Texture Changes of Tungsten-Rhenium coated on Carbon Fiber Composite during Annealing

Since tungsten was chose as the divertor tiles of 1TER, the investigation of tungsten and its coating as plasma facing material (PFM) have been paid more attentions by fusion scientists all over the world. Recent years, tungsten coatings have been successfully     

在线滤波技术在光纤马赫-德尔交叉复用器中的应用

为构造出与理想梯形滤波器接近的滤波形状，在单级光纤马赫-德尔交叉复用器的基础上，引入在线滤波技术；通过增加干涉级数和调整2对干涉臂的干涉长度和耦合器的耦合比，实现了逼近宽带陡沿的滤波输出。通过与梯形滤波器傅里叶展开式的比较，计算得到了器件的最佳参数，器件的滤波性能以及温度稳定性相对于单级结构得到了明显提高。根据理论计算，成功制作出通道间隔为50GHz的样品器件。其输出为-0.5dB，带宽大于0.185nm，相邻通道隔离度大于30dB，满足了DWDM系统指标要求。