全文获取类型
收费全文 | 10282篇 |
免费 | 1102篇 |
国内免费 | 6771篇 |
专业分类
化学 | 15174篇 |
晶体学 | 261篇 |
力学 | 142篇 |
综合类 | 309篇 |
数学 | 29篇 |
物理学 | 2240篇 |
出版年
2024年 | 76篇 |
2023年 | 259篇 |
2022年 | 360篇 |
2021年 | 342篇 |
2020年 | 324篇 |
2019年 | 311篇 |
2018年 | 224篇 |
2017年 | 313篇 |
2016年 | 372篇 |
2015年 | 385篇 |
2014年 | 655篇 |
2013年 | 680篇 |
2012年 | 608篇 |
2011年 | 604篇 |
2010年 | 605篇 |
2009年 | 708篇 |
2008年 | 739篇 |
2007年 | 704篇 |
2006年 | 819篇 |
2005年 | 713篇 |
2004年 | 760篇 |
2003年 | 766篇 |
2002年 | 835篇 |
2001年 | 765篇 |
2000年 | 583篇 |
1999年 | 515篇 |
1998年 | 492篇 |
1997年 | 446篇 |
1996年 | 409篇 |
1995年 | 483篇 |
1994年 | 391篇 |
1993年 | 359篇 |
1992年 | 385篇 |
1991年 | 317篇 |
1990年 | 318篇 |
1989年 | 301篇 |
1988年 | 86篇 |
1987年 | 39篇 |
1986年 | 33篇 |
1985年 | 33篇 |
1984年 | 16篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
在乙醇-水混合溶液中,1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基吡唑酮-5与Nd(Ⅲ),Eu(Ⅲ),Ho(Ⅲ)等及乙醇形成了萃合物,使萃取分配比明显提高。利用斜率法研究了萃取机理。借助红外(IR)、元素分析、热分析(TG-DTA)等手段对萃合物进行了表征。 相似文献
22.
23.
利用原位红外技术研究了CH3OH,CO,O2等在5%Ag/γAl2O3上的吸附情况及CH3OH和O2共吸附时表面物种的变化.结果表明,在表面纯净的Ag/γAl2O3催化剂上,甲醇的解离吸附仅发生在γAl2O3上;表面预吸附氧后,可大大增强Ag对CH3OH的解离吸附,当吸附的[CH3O]与[O]在Ag/γAl2O3上相互作用时,出现吸附态甲醛、甲二氧基、甲酸根等中间物种.O2在Ag/γAl2O3上存在非解离吸附(O-2),在真空中较易脱附,但在氧气氛下可于100℃时稳定存在. 相似文献
24.
25.
26.
在半导体光催化剂中,TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点,但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低,而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时,改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行,不符合节能原则。 相似文献
27.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 相似文献
28.
Gd2O3:Eu纳米晶的制备及其光谱性质研究 总被引:5,自引:2,他引:3
以EDTA为络合剂,聚乙二醇为有机分散剂,用络合溶胶—凝胶法制备出Gd2O3:Eu纳米晶。用XRD,SEM,X—射线能量色散谱仪(EDS),荧光分光光度计等分析手段对Gd2O3:Eu的纳米晶结构、形貌、组分的均匀性以及发光特性进行了研究。结果表明:EDTA—M凝胶仅在800℃焙烧即可得到颗粒细小、组分均匀、纯立方相的Gd2O3:Eu纳米晶,颗粒基本呈球形,粒径为30nm左右。对样品的激发光谱、发射光谱测定表明:Gd2O3:Eu纳米晶在269nm光激发下发红光,发射光谱谱峰在611nm,与体材料基本相同;激发光谱中电荷迁移带(CTB)明显红移,从体材料的255nm移至269nm,移动了约14nm;猝灭浓度从体材料的6%提高到8%。 相似文献
29.
30.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献