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利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键
关键词:
溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性 相似文献
83.
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(35nm)Ni80Fe20(2nm)Ir17Mn83(6nm)Co90Fe10(15nm)NOL1Co90Fe10(2nm)Cu(22nm)Co90Fe10(15nm)NOL2Ta(3nm).该自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应高达15%,较无此镜面反射纳米氧化层(NOL)的自旋阀提高近1倍,同时交换偏置场亦有所增强.高分辨显微结构分析表明,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层(NOL1)并未完全氧化,即除氧化过程生成的CoFe氧化物
关键词:
自旋阀
纳米氧化层
高分辨电子显微学
巨磁电阻效应 相似文献
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采用水热法合成MnOOH一维纳米线,通过MnOOH在不同气氛和温度中煅烧得到尺寸和形貌相似的不同锰氧化物,并用于以O2为氧源的苯甲醇液相氧化反应. 结果表明,MnO2对苯甲醇氧化反应具有较高的催化活性. 通过XPS、SEM、TEM和H2-TPR等手段对催化剂的形貌和结构进行了表征,并讨论了可能影响反应活性的一些因素. MnO2的良好催化性能可能与其晶格氧具有较高的迁移率以及氧化还原能力有关. 通过简单的焙烧处理,可以使MnO2催化剂在苯甲醇氧化反应中具有良好的重复使用性. 相似文献
88.
运用密度泛函方法研究了醋酸钯催化的五氟苯与苯的氧化C-H/C-H偶联反应机理. 主要考察了以下四种不同可能机理路径:A 苯C-H活化发生在五氟苯C-H活化前,B 五氟苯C-H活化发生在苯C-H活化前,C 苯C-H活化后与五氟苯银化合物发生转金属化,D 首先五氟苯银化合物与醋酸钯转金属化,然后发生苯的C-HH活化步骤. 计算结果表明,两个反应底物(五氟苯与苯)的C-H活化顺序在不同反应条件下是不同的,其中银盐的存在与否是决定因素. 在无银盐条件下,反应的优势路径是机理B. 在银盐存在条件下,五氟苯银盐与钯中心的配位非常容易,但是其生成的中间体难以引导后续的苯环C-H活化步骤,使得整个反应能垒较高. 因此,银盐的存在使得机理C的能量相对优势,该机理与机理A相似. 计算结果与氢/氘交换实验及动力学同位素效应的实验结果一致. 相似文献
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High-mobility two-dimensional electron gases at oxide interfaces: Origin and opportunities 下载免费PDF全文
Our recent experimental work on metallic and insulating interfaces controlled by interfacial redox reactions in SrTiO3-based heterostructures is reviewed along with a more general background of two-dimensional electron gas(2DEG)at oxide interfaces.Due to the presence of oxygen vacancies at the SrTiO3surface,metallic conduction can be created at room temperature in perovskite-type interfaces when the overlayer oxide ABO3has Al,Ti,Zr,or Hf elements at the B sites.Furthermore,relying on interface-stabilized oxygen vacancies,we have created a new type of 2DEG at the heterointerface between SrTiO3and a spinelγ-Al2O3epitaxial film with compatible oxygen ion sublattices.This 2DEG exhibits an electron mobility exceeding 100000 cm2·V 1·s 1,more than one order of magnitude higher than those of hitherto investigated perovskite-type interfaces.Our findings pave the way for the design of high-mobility all-oxide electronic devices and open a route toward the studies of mesoscopic physics with complex oxides. 相似文献
90.
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si:H薄膜的荧光特性,在450nm-500nm范围内常温下观察到强蓝光发射,发光强度随沉积-氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构,位置分别为460nm、465nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关,其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。 相似文献